时间：2025/9/14 16:16:35
阅读：3
NZH8V2B是一款表面贴装功率MOSFET，采用双栅极结构设计，适用于高频率和高效率的功率转换应用。该器件基于先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能，广泛用于DC-DC转换器、电源管理和负载开关等场合。
类型：N沟道MOSFET
工作电压：20V
最大电流：8A
导通电阻：0.017Ω
栅极电荷：6.5nC
封装形式：DFN2020-6
工作温度范围：-55°C至150°C
NZH8V2B具备出色的导通和开关性能，主要归功于其优化的沟槽式MOSFET结构。其导通电阻仅为0.017Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件的栅极电荷为6.5nC，使得在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗。
采用DFN2020-6封装形式，NZH8V2B实现了小尺寸和轻量化的特性，适用于对空间要求严格的便携式设备和高密度电源系统。这种封装形式还提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下的稳定运行。
该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种恶劣的工作环境，具备良好的可靠性和耐久性。此外，其双栅极结构设计有助于降低寄生电感，提高器件在高频下的稳定性。
NZH8V2B适用于多种电源管理应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。其高效率和小尺寸特性使其特别适合用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备的电源设计。此外，该器件还可用于工业控制系统的功率管理模块和汽车电子系统的电源转换器。
NTZH8V2B, BSC8V2B, NVTFS8V2B
