型号：IRFH7184ATRPBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：MOSFET
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：19A（@ 25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：76A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.7mΩ（@ VGS = 10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：6.2mΩ（@ VGS = 4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.2V ~ 2.3V
　　栅极电荷（Qg）：13nC（@ VGS = 10V）
　　输入电容（Ciss）：800pF（@ VDS = 15V）
　　功率耗散（PD）：2.8W（@ 25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：TSDS6（TDFN-6）

IRFH7184ATRPBF采用英飞凌先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，能够在高电流条件下显著减少导通损耗，提升系统效率。其RDS(on)在VGS = 10V时仅为4.7mΩ，在VGS = 4.5V时也仅为6.2mΩ，这使得它非常适合用于低电压、大电流的同步整流和负载开关应用。器件的栅极电荷（Qg）低至13nC，有助于降低驱动损耗并实现更快的开关速度，从而支持高频开关操作，适用于现代高频率DC-DC转换器拓扑结构。
　　该MOSFET的封装采用TSDS6（TDFN-6）小型化无引脚封装，具有优异的热传导性能，底部带有散热焊盘，可通过PCB有效散热，确保在高功率密度环境下仍能稳定运行。其热阻（RθJA）典型值为45°C/W，表明其具备良好的热管理能力。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业和汽车级工作环境。
　　IRFH7184ATRPBF还具备出色的动态性能，包括低输出电容（Coss）和反向恢复电荷（Qrr），有助于减少开关过程中的能量损耗，并降低电磁干扰（EMI）。其内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要频繁进行续流操作的应用场景。该器件通过了AEC-Q101车规认证，表明其在可靠性、寿命和环境耐受性方面均达到汽车电子应用的标准，可用于车载信息娱乐系统、LED驱动模块或电池管理系统中。
　　此外，该器件具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感负载切换过程中承受一定的能量冲击，提高了系统的鲁棒性和长期稳定性。其栅源电压额定值为±20V，提供了足够的驱动电压裕度，兼容常见的逻辑电平和专用MOSFET驱动器。整体而言，IRFH7184ATRPBF是一款集高效、紧凑与可靠于一体的先进功率MOSFET，适用于对性能和空间有严格要求的现代电子系统。

IRFH7184ATRPBF广泛应用于多种高效率电源系统中，尤其是在需要低导通电阻和高开关频率的场合。常见应用包括同步降压变换器（Buck Converter），作为上下管之一用于调节输出电压，因其低RDS(on)和快速响应能力可显著提高转换效率。在DC-DC电源模块中，该器件常被用作主开关或同步整流器，特别适用于服务器电源、笔记本电脑主板和通信设备中的POL（Point-of-Load）转换器。
　　此外，该MOSFET适用于负载开关电路，用于控制电源域的开启与关闭，防止浪涌电流影响系统稳定性，常见于便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中。在电机驱动应用中，IRFH7184ATRPBF可用于驱动小型直流电机或步进电机，尤其在无人机、机器人和电动工具中表现良好。
　　该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，能够高效地管理锂电池的充放电路径。由于其通过AEC-Q101认证，因此在汽车电子领域也有广泛应用，例如车载充电器、LED前大灯驱动、车身控制模块和ADAS系统供电单元。此外，在热插拔控制器、冗余电源切换和服务器背板供电系统中，IRFH7184ATRPBF凭借其高可靠性和快速响应能力，成为理想的选择。其小型封装特性也使其适用于空间受限的高密度PCB设计，满足现代电子产品小型化趋势的需求。

IRLH7184TRPBF
　　SISS10DN
　　FDMC86121S
　　AOZ5216AI