时间：2025/7/4 4:19:22
阅读：18
IRFH5306TRPBF 是一款 N 没道沟槽场效应晶体管（MOSFET），由 Vishay International Rectifier 提供。该器件采用 PQFN 封装，适合高密度应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动和负载切换等场景。
这款 MOSFET 的设计使其能够在高频条件下高效运行，并且其封装形式有助于提高散热性能，减少寄生电感。此外，它还符合 RoHS 标准，确保环保要求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：27A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：8nC
输入电容：1690pF
总热阻：40°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IRFH5306TRPBF 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 27A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，得益于低栅极电荷和优化的封装设计，适用于高频应用。
4. 紧凑的 PQFN 封装形式，节省 PCB 空间并改善热性能。
5. 广泛的工作温度范围，使其能够适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，满足现代电子产品的环保要求。
IRFH5306TRPBF 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和功率转换。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机（BLDC）和其他类型电机。
3. 计算机及外设中的负载切换和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子系统中的电池管理与配电。
6. 通信设备中的高效功率转换解决方案。
IRLH5306TRPBF, IRFH5307TRPBF
