工作温度范围：-40°C ~ +100°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　最大输入电流（IF）：70 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：35 V
　　最大集电极电流（Ic）：150 mA
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%（测试条件：IF=5mA，Vce=5V）
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms
　　响应时间（Ton/Toff）：3 μs / 3 μs
　　封装形式：4-Pin DIP
　　尺寸：4.10 mm x 3.80 mm x 3.70 mm（典型值）

EL816S1C(TU) 具有多种优异的电气和隔离特性，适合广泛的应用环境。首先，其高隔离电压（5000 Vrms）确保了在高压环境下信号传输的安全性，适用于需要高电气隔离等级的工业控制和电源系统。其次，该光耦的电流传输比（CTR）范围宽广（50% ~ 600%），在不同输入电流条件下都能保持良好的输出稳定性，适应性强。此外，EL816S1C(TU) 的响应时间较短，典型值为 3 微秒，可满足中高速信号隔离的需求。其采用的 4 引脚 DIP 封装结构简单，安装方便，且符合 RoHS 环保标准，适用于自动化生产流程。在工作温度方面，EL816S1C(TU) 能在 -40°C 至 +100°C 的范围内稳定运行，适合在严苛的工业环境中使用。器件的集电极-发射极耐压（Vce）达到 35V，集电极电流最大可达 150mA，能够驱动多种负载，具备较高的灵活性和适用性。
　　此外，EL816S1C(TU) 在设计上采用了 GaAs 红外 LED 与硅光电晶体管相结合的结构，这种组合在光耦合器中具有较长的寿命和较高的可靠性。同时，其封装材料具备良好的绝缘性能，进一步增强了器件的隔离能力和安全性。在实际应用中，该器件常用于开关电源、逆变器、PLC 控制系统、电机驱动等需要电气隔离的场合。

EL816S1C(TU) 主要应用于需要电气隔离与信号传输的各类电子系统中。首先，在工业自动化控制领域，如可编程逻辑控制器（PLC）、继电器驱动电路、工业通信接口中，EL816S1C(TU) 可有效隔离高低压电路，防止干扰和损坏主控系统。其次，在电源管理系统中，例如开关电源、DC/DC 转换器、UPS（不间断电源）等，该光耦常用于反馈控制电路，实现初级与次级之间的信号隔离和电平转换。此外，在电机驱动与变频器中，EL816S1C(TU) 用于隔离控制信号与功率电路，提高系统的稳定性和安全性。在通信设备中，该器件可用于数字信号的隔离传输，确保通信接口在不同地电位之间正常工作。另外，由于其良好的温度适应性和稳定性，EL816S1C(TU) 也广泛应用于家电控制、安防系统、智能电表、工业传感器等各类电子产品中。

TLP521-1, PC817, HCNR200, EL817S1C(TU)