类型：MOS FET继电器（输出）
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：5 mA（典型驱动条件）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VDS）：35 V
　　连续通态电流（ID(on)）：300 mA（最大值）
　　导通电阻（RON）：8 Ω（典型值，最大12 Ω）
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　响应时间（Turn-ON）：1.5 ms（典型值）
　　响应时间（Turn-OFF）：0.6 ms（典型值）
　　LED触发波长：约940 nm
　　封装形式：SSOP-4（超小型塑料封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　极性：单极性输出

G3VM-351G4的核心特性在于其基于光控MOSFET的输出结构，这种设计使其能够在没有机械运动部件的情况下实现高效、可靠的开关操作。该器件的输入侧采用红外LED，当施加适当的正向电流时，LED发出光线激活输出侧的光敏MOSFET阵列，从而形成导电通道。由于采用固态结构，G3VM-351G4具备极高的耐用性，可承受数十亿次的开关操作而不会出现性能衰减，远超传统电磁继电器的寿命。其导通电阻低至8Ω，确保在300mA负载下仅有较小的功率损耗和温升，提升了系统的能效和稳定性。
　　该器件具有出色的电气隔离能力，输入与输出之间可承受高达5000Vrms的隔离电压，符合国际安全标准，适用于需要强电与弱电隔离的应用场合。其SSOP-4封装尺寸紧凑，典型尺寸约为3.0×6.4×2.1mm，非常适合空间受限的便携式设备或高密度电路板设计。此外，G3VM-351G4具备良好的抗振动和抗冲击性能，适用于工业环境中的严苛条件。
　　响应速度快是另一个关键优势，开启时间仅需1.5ms，关断时间更短至0.6ms，使得该器件能够用于需要快速响应的控制系统中。其工作温度范围宽，从-20°C到+85°C，可在大多数常规环境下稳定运行。器件还具备低输入驱动电流需求（典型5mA），可直接由微控制器I/O口驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计并降低了成本。同时，无触点设计避免了电弧、接触反弹和氧化等问题，提升了系统的安全性和可靠性。

G3VM-351G4广泛应用于多种需要小型化、高可靠性和长寿命开关功能的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）模块、I/O接口板、传感器信号切换以及气动/液压阀控制电路中，作为执行机构的驱动开关。在测试与测量设备中，该器件可用于自动测试设备（ATE）中的信号路由、多路复用器控制以及精密仪器内部的负载切换，因其无噪声开关特性可避免对敏感测量造成干扰。
　　在通信设备中，G3VM-351G4可用于基站电源管理、光模块控制、信号通路切换等场景，其快速响应和低EMI特性有助于提升系统性能。此外，在医疗电子设备中，如监护仪、分析仪器等，该继电器因其高隔离性和安全性被用于患者隔离电路或电源切换模块。
　　消费类电子产品中，G3VM-351G4也常见于智能家居控制模块、安防系统、电池管理系统（BMS）中的充放电控制等。其表面贴装封装便于自动化生产，适合大批量制造。由于支持直流负载切换，特别适用于LED驱动控制、小型电机启停、加热元件控制等低功率直流开关应用。总体而言，任何需要静音、无磨损、长寿命且紧凑型开关解决方案的场合，G3VM-351G4都是一个理想的选择。

G3VM-451A2
　　G3VM-61E1A
　　TLP222G
　　APV0115S