时间：2025/9/14 18:11:53
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BUK7M9R9-60EX是一款由Nexperia（安世半导体）生产的增强型功率MOSFET晶体管，采用Trench肖特基技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于电源管理和功率转换应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：150A（在Tc=25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大值为3.3mΩ（典型值2.9mΩ）
栅极阈值电压(Vgs(th))：约2.0V至4.0V
最大功率耗散(Pd)：160W
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK7M9R9-60EX具备极低的导通电阻，这使其在高电流应用中具有更低的功率损耗和更高的效率。该器件采用了先进的Trench肖特基技术，确保了在高温条件下仍能保持稳定的工作性能。此外，其高电流容量和良好的热管理能力使其非常适合用于高负载条件下的电源转换系统。其封装设计支持快速安装和良好的散热性能，从而延长器件的使用寿命。
这款MOSFET还具备优异的抗雪崩能力和高耐用性，适用于可能经历频繁开关操作和高电流冲击的应用场景。此外，其栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计，并降低了开关损耗。在汽车和工业应用中，BUK7M9R9-60EX以其可靠性和性能著称，能够满足对功率器件的高要求。
BUK7M9R9-60EX广泛应用于各种功率电子系统中，包括DC-DC转换器、电机控制、电源管理模块、电池充电系统以及汽车电子设备。它特别适合需要高效能和高可靠性的应用，例如电动汽车的车载充电器、工业电机驱动器、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。由于其低导通电阻和高电流处理能力，它在高性能电源转换和管理应用中表现出色。
IPB120N10N3 G, SQD120N10-07
