IRFH5301是国际整流器公司(International Rectifier,已被英飞凌收购)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用SO-8封装形式,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等电路中。其低导通电阻和高效率特性使其非常适合于要求低功耗和高性能的应用场景。
IRFH5301的制造工艺采用了先进的沟槽式技术,这使得它在导通电阻、开关速度等方面表现优异,同时具备较低的栅极电荷,有助于提高系统的整体效率。
最大漏源电压:50V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:47A
导通电阻:1.6mΩ
栅极电荷:14nC
总电容(输入电容):1390pF
开关时间:典型值ton=12ns,toff=17ns
IRFH5301具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低导通损耗,从而提升系统效率。
2. 较小的栅极电荷(Qg),能够实现快速开关操作,并减少开关损耗。
3. 采用SO-8封装,体积小巧,便于设计人员进行紧凑型电路设计。
4. 高额定电流能力(Id),使其适合大电流应用环境。
5. 良好的热性能,确保在高功率应用中的稳定性和可靠性。
6. 具备ESD保护功能,增强了器件在实际应用中的抗静电能力。
IRFH5301适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 各类电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)控制。
4. 负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
IRL540N, IRF540N, FDP5800