类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大漏极电流（ID）：2A
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

PFU2N60S 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有良好的导通特性和较高的击穿电压能力，适用于多种功率电子设备。
　　该器件的最大漏源电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换和控制电路。其栅源电压限制为±30V，设计时需要注意栅极驱动电路的电压控制，以避免损坏器件。
　　在导通状态下，PFU2N60S 的典型导通电阻约为2.5Ω，这一参数在低电流应用中表现良好，但若在大电流条件下使用，需注意导通损耗的增加。该器件的最大漏极电流为2A，适用于中等功率的开关应用。
　　封装方面，PFU2N60S 采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，适合安装在散热片上以提高热稳定性。其最大功率耗散为50W，确保在中高功率应用中稳定运行。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性较强，能够在多种环境条件下可靠工作。
　　由于其高耐压、中等电流能力和良好的封装设计，PFU2N60S 被广泛用于电源适配器、LED驱动器、开关电源（SMPS）、电机控制和家用电器等应用中。

PFU2N60S 常用于电源管理和功率控制领域，例如开关电源（SMPS）、LED驱动电路、DC-DC转换器、电机控制模块、家电控制板以及工业自动化设备中的功率开关电路。该器件的高压耐受能力和稳定的导通特性使其在需要高压隔离和中等功率控制的场合表现出色。

2N60, 2N60S, FQP2N60, IRF630, IRF840