2SK3540-01 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各种高频率开关电源设备中。这款MOSFET设计用于高效能和低导通电阻,适用于需要高电流能力和低损耗的场合。
类型:N沟道
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):20V
漏极电流(ID):120A(最大)
导通电阻(RDS(on)):5.3mΩ(最大)@VGS=10V
功耗(PD):200W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220AB
2SK3540-01 的主要特性包括低导通电阻,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高整体系统效率。其高电流承载能力使其适用于高负载条件下的稳定运行。该MOSFET还具有较高的热稳定性,可在高温环境下保持性能稳定。此外,2SK3540-01 提供了良好的开关特性,适合用于高频开关应用,减少了开关损耗并提高了响应速度。其TO-220AB封装形式不仅便于散热,也简化了安装过程,使其在多种电路设计中易于集成。这些特性共同确保了2SK3540-01在各种高要求应用中的可靠性和性能。
2SK3540-01 主要用于各种电源管理设备,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路以及电池管理系统。由于其高效率和低导通电阻,该器件也广泛应用于工业自动化设备、电动工具、电动车和储能系统等领域。
2SK3541-01, 2SK3542-01