时间：2025/6/28 22:27:12
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IRFH3702TR是Infineon（英飞凌）公司生产的N沟道功率MOSFET，采用PQFN5x6-8封装形式。该器件专为高频开关应用而设计，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电机驱动等应用场景。
该MOSFET的最大漏源电压为40V，连续漏极电流可达98A（在特定的散热条件下）。其优化的栅极电荷和输出电容使其具备出色的开关性能，并能有效降低开关损耗。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：98A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：18nC（典型值）
总电容（Ciss）：1380pF（典型值）
输入电容（Cies）：1170pF（典型值）
输出电容（Coss）：300pF（典型值）
工作温度范围：-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高效率。
2. 快速开关特性，适合高频开关应用。
3. 高电流处理能力，能够承受较大的负载电流。
4. 热稳定性强，适用于高温环境下的应用。
5. PQFN5x6-8封装，具有良好的热传导性能和较小的占板面积。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
2. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
3. 负载点（POL）转换器中的高效开关元件。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. 各种工业及汽车电子设备中的负载开关和保护电路。
6. 电池管理系统（BMS）中的功率路径管理元件。
IRFH3702PbF, IRFH3704TR, IRFH3704PbF
