AP15P10GH-HF 时间：2025/9/13 17:50:41 阅读：17

AP15P10GH-HF 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率的电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的工艺技术制造，具备低导通电阻、高可靠性和优异的热性能，适合在多种电源管理系统中使用。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：-100V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流 (Id)：-15A
　　导通电阻 (Rds(on))：约 80mΩ（在 Vgs = -10V）
　　功率耗散 (Pd)：130W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

AP15P10GH-HF 具备一系列优异的电气和物理特性，确保其在各种应用场景中的高性能表现。首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通状态下的功率损耗，从而提升整体系统的效率。这种特性在高电流应用中尤为重要，例如 DC-DC 转换器和电机驱动器。此外，该 MOSFET 的最大漏源电压达到 -100V，使其适用于中高电压的应用场景，例如工业控制和汽车电子系统。器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 -10V 至 +10V 的栅极电压操作，确保其在不同电路设计中的灵活性。TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的散热性能，还具备较高的机械强度，适用于需要稳定性和可靠性的应用。AP15P10GH-HF 还具备较低的栅极电荷（Qg），从而减少开关损耗并提高开关速度，适用于高频开关应用。此外，该器件的热阻较低，能够有效散热，避免因温度过高而引起的性能下降或损坏。
　　另一个关键特性是其出色的短路和过载保护能力。AP15P10GH-HF 在设计上优化了内部结构，以提高其在极端条件下的稳定性，例如短路或瞬态过载情况下的耐受能力。这使得它在高可靠性要求的环境中表现尤为出色，例如汽车电子、工业自动化和通信设备。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，不含有害物质，满足现代电子产品对环保的要求。

应用

AP15P10GH-HF 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、工业自动化设备以及汽车电子系统等。其高耐压能力和低导通电阻特性使其成为高效率和高可靠性的理想选择。在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能设备的电源管理模块中，该器件也得到了广泛应用。