时间：2025/4/29 18:09:26
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IRFG110是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由英飞凌科技生产。该器件适用于高效率、高频开关应用，如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动等。IRFG110采用TO-220封装形式，能够提供较高的电流处理能力和较低的导通电阻。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：6.8A
栅极-源极电压（最大）：±20V
导通电阻（典型值）：1.4Ω
总功耗：145W
工作结温范围：-55℃至+175℃
IRFG110具有低栅极电荷和快速开关速度，这使其非常适合于高频操作环境。
其高击穿电压确保了在高压条件下的稳定性。
此外，它还具备较低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
由于采用了TO-220标准封装，IRFG110易于安装且散热性能良好。
IRFG110广泛应用于各种需要高效功率管理的场景中，包括但不限于开关电源、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及电信设备中的功率调节电路。
它的高频特性和低导通电阻也使得它成为电池充电器和工业控制系统的理想选择。
IRFP110
