时间：2025/8/6 2:51:55
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IXTP20N65X2 是由 Infineon Technologies（英飞凌）推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的 CoolMOS? 技术，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，广泛应用于电源转换、电机控制、DC-DC 转换器和工业自动化等高效率电力电子系统中。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：20A
漏源电压（Vds）：650V
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω（最大）
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（Ptot）：80W
漏极电容（Coss）：130pF（典型值）
开关时间：导通延迟时间（td(on)）12ns，关断延迟时间（td(off)）30ns
IXTP20N65X2 采用英飞凌的 CoolMOS? 技术，使得该器件在高压应用中具有非常低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了整体效率。其高耐压能力（650V）使其适用于多种中高功率电源系统。该 MOSFET 的封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合工业环境下的长时间运行。
此外，IXTP20N65X2 具有快速开关能力，其开关时间较短，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升系统的动态响应能力。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），增强了其在不同驱动电路中的适应性。同时，其具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性，确保在异常工作条件下也能保持稳定运行。
该 MOSFET 的热阻较低，有助于在高负载情况下保持较低的温度上升，延长器件使用寿命。其内部结构优化，减少了寄生电容，从而进一步提升高频工作性能。适用于诸如开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变器、UPS（不间断电源）等应用场景。
IXTP20N65X2 主要应用于中高功率的电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机驱动控制电路以及工业自动化设备。此外，该器件还可用于新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统和电动车充电模块等。由于其优异的导通和开关性能，IXTP20N65X2 在需要高效能、高可靠性的电源管理方案中表现出色。
IPW65R025CFD, STF20N65M2, FCH20N65S3
