时间：2025/5/26 19:24:47
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DMN30H4D0L 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用超小型 DFN2020-6 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种高效能电源管理应用，例如负载开关、同步整流器以及 DC/DC 转换器等。
该 MOSFET 的设计使其在便携式设备和空间受限的应用中表现尤为出色，能够有效降低功耗并提高效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻（典型值，在 Vgs=4.5V 时）：17mΩ
导通电阻（最大值，在 Vgs=4.5V 时）：25mΩ
栅极电荷：3.6nC
反向传输电容：10pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：DFN2020-6
DMN30H4D0L 提供了非常低的导通电阻以减少传导损耗，并且具备快速开关能力以适应高频应用需求。
其小尺寸封装有助于节省 PCB 空间，非常适合于移动通信设备和其他对体积敏感的产品。
此外，由于采用了先进的制造工艺，这款 MOSFET 在热性能方面表现出色，能够在较高结温下稳定运行。
另外，它支持逻辑电平驱动，这使得它可以与大多数微控制器或数字信号处理器直接接口而无需额外的驱动电路。
DMN30H4D0L 广泛应用于消费类电子产品领域中的各种电源转换和管理任务，包括但不限于：
1. 手机和平板电脑中的负载开关控制
2. 笔记本电脑适配器里的同步整流功能
3. 固态硬盘 (SSD) 和 USB 接口保护
4. 小功率 DC/DC 转换器设计
5. 电池管理系统中的充放电路径管理
6. LED 驱动电路中的电流调节组件
DMN30H4D0E, DMN30H4D0T-7, BSC10DN03LSG
