类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-263（表面贴装）
　　功率耗散（Ptot）：83W
　　栅极电荷（Qg）：52nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100pF（典型值）
　　开关时间（ton/toff）：18ns/22ns（典型值）

IPP50250CE 的主要特性之一是其优异的导通性能。该器件的导通电阻最大为0.25Ω，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，它具有较高的耐压能力（500V），能够应对高电压输入的应用场景，如工业电源和高压电机驱动系统。
　　其次，该MOSFET采用了先进的封装技术（TO-263），具有良好的热性能，能够有效地将热量传导至PCB板或散热器，从而提高系统的稳定性和可靠性。在高电流负载下，其83W的最大功率耗散能力也使其具备较强的热耐受能力。
　　IPP50250CE 还具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这有助于减少开关过程中的损耗，从而实现更快的开关速度和更高的频率响应。对于需要高频工作的电源系统，如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器，这些特性尤为关键。
　　此外，该器件的工作温度范围宽广（-55°C 至 150°C），适合在各种恶劣环境条件下使用。无论是工业现场、汽车电子系统还是户外设备，IPP50250CE 都能保持稳定的工作性能。

IPP50250CE 被广泛应用于多种高功率和高电压的电子系统中。其主要应用领域包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：由于其高效率和低导通损耗，IPP50250CE 常用于构建高效能的AC-DC电源系统，适用于服务器电源、工业电源和适配器等。
　　2. DC-DC转换器：在需要高效能、高频率工作的DC-DC变换电路中，IPP50250CE 可作为主开关元件，用于升压（Boost）或降压（Buck）转换器，适用于车载电子系统和可再生能源系统。
　　3. 电机驱动和逆变器：在电机控制和变频驱动系统中，IPP50250CE 可用于构建H桥或三相逆变电路，适用于工业自动化、家电电机控制等领域。
　　4. 电源管理系统：在UPS（不间断电源）、储能系统以及电池管理系统中，该器件可用于功率控制和能量转换模块。
　　5. 工业自动化设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、变频器、伺服驱动器等设备中，作为高可靠性的功率开关使用。

IPP50R250CE, IPP50R250C5, IPD50R250CE