型号：IRFF9213
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-100 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：-7.0 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-28 A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值45 mΩ（@ VGS = -10 V, ID = -3.5 A）
　　阈值电压（VGS(th)）：-2.0 V 至 -4.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 1100 pF（@ VDS = 50 V）
　　输出电容（Coss）：约 350 pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（体二极管为自然恢复）
　　栅极电荷（Qg）：约 45 nC（@ VGS = -10 V）
　　功耗（PD）：125 W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：D2PAK（TO-263）

IRFF9213的核心优势在于其优化的P沟道沟槽栅结构，这种设计显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件在-100V的额定电压下仍能保持较低的RDS(on)，使其在高压P沟道应用中具有较强的竞争力。其沟槽栅技术还改善了跨导和开关性能，使器件在高频开关操作中表现出更低的开关损耗。此外，场截止技术增强了器件的击穿电压稳定性和温度稳定性，有效防止在高温或瞬态过压条件下发生失效。
　　另一个重要特性是其出色的热管理能力。D2PAK封装具备低热阻特性，通常RθJC（结到外壳）约为1.6°C/W，允许器件在高功率密度环境下有效散热，延长使用寿命并提升可靠性。该器件支持通过PCB铜箔或外加散热器进行高效散热，适用于紧凑型电源设计。
　　IRFF9213还具备良好的抗雪崩能量能力，能够在意外电压尖峰或感性负载关断过程中吸收一定的能量而不损坏。这一特性对于工业电机驱动和电源保护至关重要。其栅极氧化层经过严格工艺控制，具备高耐压和长寿命特性，可承受反复的开关应力。
　　此外，该器件的体二极管具有较软的反向恢复特性，虽然P沟道MOSFET通常不用于同步整流，但在某些续流路径中仍能提供可靠的性能。整体而言，IRFF9213在可靠性、效率和鲁棒性之间实现了良好平衡，适用于要求严苛的工业和汽车电子系统。

IRFF9213广泛应用于多种中高功率电源和功率控制场合。典型用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC适配器、服务器电源和电信电源中作为高端开关或负载开关使用。由于其P沟道特性，可在高端驱动配置中直接由逻辑信号或简单驱动电路控制，避免使用自举电路或专用高边驱动器，简化了设计复杂度并降低成本。
　　在DC-DC转换器中，IRFF9213常用于降压（Buck）拓扑的上管开关，特别是在非同步整流架构中，其低RDS(on)有助于减少传导损耗。此外，它也适用于电池管理系统中的充放电控制、电源多路复用和热插拔电路，能够安全地接通和断开负载而不会产生过大浪涌电流。
　　在工业自动化和电机控制领域，IRFF9213可用于小功率直流电机的H桥驱动或继电器替代方案，实现无触点开关，提高系统寿命和响应速度。在逆变器系统中，该器件可作为辅助电源或预充电路的一部分，参与电压调节和故障保护。
　　由于其具备较高的工作结温和环境适应性，IRFF9213也被用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和LED驱动电源等，在高温引擎舱环境中依然能稳定运行。此外，其符合AEC-Q101可靠性标准的版本（如有）更增强了其在汽车应用中的适用性。

IRF9Z30PBF
　　IRF9Z34NPBF
　　FQP27P10