时间：2025/5/23 0:17:01
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BSC123N08NS3G是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其额定电压为80V，最大电流可达123A（脉冲条件下）。由于其出色的电气性能和可靠性，该器件广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
最大漏源电压(Vds)：80V
连续漏极电流(Id)：17A
脉冲漏极电流(Ip)：123A
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.5V~4.5V
导通电阻(Rds(on))：9mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：115W
工作结温范围(Tj)：-55℃~175℃
BSC123N08NS3G具有非常低的导通电阻，能够显著降低功率损耗，提高效率。此外，它还具备快速开关能力，可减少开关损耗并优化高频操作表现。
该器件采用先进的制造工艺，确保了卓越的热稳定性和长期可靠性。同时，其紧凑的TO-263封装设计便于安装和散热管理。
BSC123N08NS3G支持高效功率转换，并且在各种负载条件下表现出优异的动态性能。通过精确控制的阈值电压和稳定的电气参数，该器件非常适合需要高性能和可靠性的应用场景。
BSC123N08NS3G适用于广泛的领域，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关
2. DC-DC转换器中的同步整流
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动
4. 汽车电子系统中的负载切换
5. 工业自动化设备中的功率控制
6. 电池保护电路和充电管理模块
凭借其强大的电流处理能力和高效的功率传输特性，该器件成为众多高要求应用的理想选择。
BSC123N08NS5G
BSC123N08NS4G
IRF840
FDP16N10
STP17NF06
