型号：23FXZT-SM1-GAN-TF
　　电容值：100pF
　　额定电压：50V
　　电容容差：±5%
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0201（0.024" x 0.012"，即0.6mm x 0.3mm）
　　介质材料：Ceramic（C0G/NP0）
　　层数结构：High-Layer Count MLCC
　　ESR：典型值<5mΩ
　　ESL：典型值<20pH
　　直流偏压特性：无容量随电压变化（C0G特性）
　　焊接方式：回流焊（符合J-STD-020标准）

23FXZT-SM1-GAN-TF 具备卓越的高频响应性能，这得益于其采用C0G（也称NP0）电介质材料，这种材料在整个工作温度范围内具有极高的电容稳定性，电容值随温度的变化不超过±30ppm/°C，确保了在极端环境下的可靠运行。该电容器的超小0201封装不仅节省PCB空间，还通过优化内部电极结构显著降低了等效串联电感（ESL），使其自谐振频率（SRF）远高于传统MLCC，可在数GHz频段内有效发挥去耦作用。
　　该器件特别针对氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）和集成电路的栅极驱动电路进行了优化设计，在高dv/dt环境下仍能保持低噪声和稳定供电。GaN器件通常工作在数百kHz至MHz级别的开关频率下，对去耦电容的瞬态响应能力要求极高；23FXZT-SM1-GAN-TF凭借其极低的ESR和ESL，能够快速响应瞬时电流需求，抑制电压波动，从而提升系统效率并减少电磁干扰（EMI）。
　　此外，该电容器具备出色的直流偏置稳定性，由于C0G材料不随外加电压改变介电常数，因此在额定电压范围内电容值几乎不变，这一点对于需要精确滤波或定时功能的射频匹配网络至关重要。器件还通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（THHB）、温度循环（TC）和机械冲击测试，适用于工业级和通信级应用场景。
　　另一个重要特性是其良好的可制造性，支持自动化贴片设备进行高速贴装，并兼容无铅回流焊工艺，满足现代电子产品绿色制造的要求。其端电极采用镍阻挡层和锡镀层结构，增强了抗硫化能力和焊接可靠性，适用于严苛环境下的长期运行。综上所述，23FXZT-SM1-GAN-TF是一款面向高端射频与电源系统的高性能MLCC，融合了小型化、高频特性和热稳定性等多项优势。

23FXZT-SM1-GAN-TF 主要应用于需要高频去耦和低噪声电源调节的先进电子系统中。在5G无线通信基础设施中，它被广泛用于射频功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）以及前端模块（FEM）的旁路电路，以确保信号链的纯净度和稳定性。由于5G系统使用毫米波频段且调制复杂度高，任何电源噪声都可能导致误码率上升或相位抖动增加，因此必须使用像23FXZT-SM1-GAN-TF这样具备优异高频阻抗特性的电容来进行局部去耦。
　　在基于氮化镓（GaN）技术的高效率电源转换器中，例如服务器电源、车载充电器（OBC）、DC-DC变换器和射频能量系统，该电容器常被部署在GaN FET的栅极驱动回路附近，用作局部储能和噪声滤除元件。GaN器件具有极快的开关速度（可达纳秒级），容易引发高频振荡和电压过冲，若去耦不良会导致器件误触发甚至损坏；23FXZT-SM1-GAN-TF凭借其极低的ESL和ESR，可有效抑制这些瞬态现象，保障电路稳定运行。
　　此外，该器件也适用于高速数字系统中的局部电源去耦，如FPGA、ASIC和高速ADC/DAC的供电引脚旁，用于滤除高频开关噪声并维持核心电压稳定。在测试与测量仪器、雷达系统和航空航天电子设备中，因其温度稳定性和长期可靠性，也被选作关键信号路径中的耦合或滤波元件。
　　由于其微型封装和高性能表现，23FXZT-SM1-GAN-TF尤其适合高密度PCB布局设计，能在有限空间内实现最佳电气性能，是现代高频、高功率密度电子设计中不可或缺的基础元件之一。

SYF23FX101Z50TR-G
　　GRM0335C1H101JA01D