型号：IRFB812
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：94A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：376A
　　最大功耗（PD）：250W
　　导通电阻（RDS(on) max）@ VGS = 10V：0.014Ω
　　导通电阻（RDS(on) max）@ VGS = 4.5V：0.018Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：3300pF
　　输出电容（Coss）：950pF
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220AB

IRFB812采用英飞凌先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这显著降低了在大电流条件下的功率损耗，提升了系统的整体能效。其RDS(on)在VGS=10V时仅为0.014Ω，即使在VGS=4.5V的较低驱动电压下也能保持0.018Ω的低阻值，表明其对逻辑电平驱动信号也有良好响应能力，适合与现代低电压控制IC配合使用。这种低RDS(on)特性对于电池供电设备或高密度电源设计尤为重要，有助于减少散热需求并缩小散热器尺寸。
　　该器件具有高达94A的连续漏极电流承载能力，能够应对瞬时大电流负载，适用于电机启动、电源浪涌等高动态工况。同时，其最大脉冲电流可达376A，展现出卓越的短时过载能力。这一特性使得IRFB812在电机驱动、H桥电路和电动工具等应用中表现尤为出色。此外，其250W的最大功耗能力结合TO-220AB封装的良好热传导性能，可在强制风冷或加装散热片条件下稳定运行。
　　IRFB812具备优良的开关特性，输入电容为3300pF，输出电容为950pF，反向恢复时间仅45ns，确保了在高频开关环境下仍能保持较低的开关损耗。这对于提高DC-DC转换器、同步整流器和开关电源的工作频率至关重要，有助于减小磁性元件体积并提升功率密度。同时，较短的反向恢复时间也降低了体二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统可靠性。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，属于标准阈值类型，兼容常见的驱动电路设计。其±20V的栅源电压耐受能力提供了足够的安全裕度，防止因驱动信号波动导致的栅极击穿。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，可在极端环境温度下可靠运行，适用于工业自动化、车载电源和户外设备等严苛应用场景。此外，其内部结构具备一定的抗雪崩能量能力，在遭遇电压突变或感性负载断开时能提供一定程度的自我保护。

IRFB812广泛应用于多种高效率功率转换场景。在开关模式电源（SMPS）中，常用于初级侧开关或次级侧同步整流，以降低导通损耗并提高转换效率。在DC-DC降压或升压转换器中，其低RDS(on)和高电流能力使其成为理想的主开关器件，尤其适用于大电流输出的POL（Point-of-Load）电源模块。在电机驱动领域，该器件可用于H桥或半桥拓扑结构，驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机，常见于电动工具、机器人和工业自动化设备中。
　　此外，IRFB812也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，因其低导通电阻可减少电池能量损耗，延长续航时间。在LED照明驱动电源中，可用于构建高效的恒流源电路，支持高亮度LED阵列的稳定工作。在逆变器和UPS（不间断电源）系统中，该MOSFET可用于DC-AC转换级，实现高效的能量转换。由于其良好的热稳定性和高可靠性，也常被用于汽车电子辅助电源、车载充电器和工业电源模块中。其TO-220封装便于安装散热器，适合中等功率级别的应用设计。

IRFZ44N,IRL7833,IRFB3077,IRFB4110,IRFB4227