时间：2025/8/25 2:48:48
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FDB12N50UTM是一款由Fairchild Semiconductor（现为onsemi）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高功率开关应用，具有良好的导通电阻（Rds(on)）特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等多种应用场景。该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装工艺，具有较高的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：12A（Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.48Ω @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：83W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
FDB12N50UTM具有多个关键特性，使其在功率MOSFET中具有较强的竞争力。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高频率开关应用。其次，该器件具有良好的热稳定性，采用TO-252封装形式，能够有效散热，适用于高功率密度设计。此外，FDB12N50UTM具备高耐压能力（Vds为500V），可适用于中高压电源系统。其栅极设计支持标准驱动电压（如10V），兼容多种常见的MOSFET驱动器，便于集成到现有电路设计中。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提高系统可靠性。由于其封装体积较小，适合用于空间受限的应用场合，如适配器、充电器、LED照明电源和工业控制设备。
FDB12N50UTM广泛应用于各类电力电子系统中，尤其是在需要高效、高可靠性的场合。常见的应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动和负载开关控制。此外，它也适用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）、LED驱动电源以及工业自动化设备中的功率开关模块。在消费类电子产品中，如笔记本电脑电源、智能家电电源管理模块，也有广泛使用。该器件的高耐压和低导通电阻特性使其在高效率电源设计中表现出色。
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