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AONS36314 发布时间 时间:2025/8/2 5:50:23 查看 阅读:35

AONS36314是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)设计和制造的高性能双N沟道增强型MOSFET。这款芯片主要面向高效电源管理系统,适用于笔记本电脑、服务器、电源管理模块、DC-DC转换器等应用。AONS36314采用先进的TrenchFET技术,提供低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,从而在高频开关应用中实现更高的效率。该器件集成两个MOSFET在一个紧凑的封装中,有效节省了PCB空间并简化了电路设计。

参数

类型:双N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):11A
  导通电阻(Rds(on)):18mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷(Qg):9.5nC
  封装类型:DFN5x6
  工作温度范围:-55°C至150°C
  安装类型:表面贴装(SMD)
  功率耗散(Pd):4.3W

特性

AONS36314具有多项显著的技术特性,使其在高性能电源转换应用中表现出色。首先,其双N沟道MOSFET结构允许在一个封装中实现高边和低边开关功能,适用于同步整流和DC-DC转换器拓扑。这不仅提高了电路的集成度,还减少了外部元件数量,降低了整体系统成本。此外,该器件采用了AOS专有的TrenchFET技术,使得导通电阻非常低(Rds(on)仅为18mΩ),从而显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率。
  AONS36314的栅极电荷(Qg)较低,仅为9.5nC,这意味着在高频开关应用中,其驱动损耗较小,有助于提高开关速度并减少能量损耗。这种特性对于提高电源模块的工作频率、减小电感和电容尺寸具有重要意义。同时,该器件的最大漏极电流可达11A,支持较高的负载能力,适用于中高功率的电源管理系统。
  在封装方面,AONS36314采用DFN5x6封装,具有良好的热性能和电气性能,适用于高密度PCB布局。其紧凑的设计和表面贴装(SMD)安装方式,进一步简化了制造流程并提高了产品的可靠性。此外,该器件可在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作,适应各种严苛的工业和消费类应用场景。

应用

AONS36314广泛应用于各类高效能电源管理系统中,特别是在需要高效率和小尺寸设计的场合。例如,在笔记本电脑和超极本的电源管理系统中,AONS36314可用于同步降压转换器,以实现高效的电压调节。此外,它还常用于服务器和通信设备的电源模块中,为FPGA、DSP和微处理器等高性能芯片提供稳定的电源供应。
  在DC-DC转换器应用中,AONS36314的双MOSFET结构使其非常适合用于同步整流电路,从而提高转换效率并减少发热。在电池管理系统(BMS)中,它可以作为高边和低边开关,实现电池充放电控制和保护功能。此外,AONS36314还适用于负载开关、电机驱动、LED驱动器以及各类便携式电子设备的电源管理电路。

替代型号

Si7686DP, FDS6680, AO4614

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AONS36314参数

  • 现有数量1,950现货
  • 价格1 : ¥6.36000剪切带(CT)3,000 : ¥2.45705卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)36.5A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.9 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)40 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1890 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),42W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线