AONS36314 时间：2025/8/2 5:50:23 阅读：43

AONS36314是一款由Alpha and Omega Semiconductor（AOS）设计和制造的高性能双N沟道增强型MOSFET。这款芯片主要面向高效电源管理系统，适用于笔记本电脑、服务器、电源管理模块、DC-DC转换器等应用。AONS36314采用先进的TrenchFET技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，从而在高频开关应用中实现更高的效率。该器件集成两个MOSFET在一个紧凑的封装中，有效节省了PCB空间并简化了电路设计。

参数

类型：双N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：11A
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：9.5nC
　　封装类型：DFN5x6
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　功率耗散（Pd）：4.3W

特性

AONS36314具有多项显著的技术特性，使其在高性能电源转换应用中表现出色。首先，其双N沟道MOSFET结构允许在一个封装中实现高边和低边开关功能，适用于同步整流和DC-DC转换器拓扑。这不仅提高了电路的集成度，还减少了外部元件数量，降低了整体系统成本。此外，该器件采用了AOS专有的TrenchFET技术，使得导通电阻非常低（Rds(on)仅为18mΩ），从而显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。
　　AONS36314的栅极电荷（Qg）较低，仅为9.5nC，这意味着在高频开关应用中，其驱动损耗较小，有助于提高开关速度并减少能量损耗。这种特性对于提高电源模块的工作频率、减小电感和电容尺寸具有重要意义。同时，该器件的最大漏极电流可达11A，支持较高的负载能力，适用于中高功率的电源管理系统。
　　在封装方面，AONS36314采用DFN5x6封装，具有良好的热性能和电气性能，适用于高密度PCB布局。其紧凑的设计和表面贴装（SMD）安装方式，进一步简化了制造流程并提高了产品的可靠性。此外，该器件可在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适应各种严苛的工业和消费类应用场景。

应用

AONS36314广泛应用于各类高效能电源管理系统中，特别是在需要高效率和小尺寸设计的场合。例如，在笔记本电脑和超极本的电源管理系统中，AONS36314可用于同步降压转换器，以实现高效的电压调节。此外，它还常用于服务器和通信设备的电源模块中，为FPGA、DSP和微处理器等高性能芯片提供稳定的电源供应。
　　在DC-DC转换器应用中，AONS36314的双MOSFET结构使其非常适合用于同步整流电路，从而提高转换效率并减少发热。在电池管理系统（BMS）中，它可以作为高边和低边开关，实现电池充放电控制和保护功能。此外，AONS36314还适用于负载开关、电机驱动、LED驱动器以及各类便携式电子设备的电源管理电路。