类型：PNP晶体管
　　封装类型：TO-92
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　频率范围：100MHz（典型值）
　　增益带宽积（fT）：80MHz
　　直流电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2SA640E晶体管具有出色的高频性能，能够在射频和音频应用中提供稳定的放大效果。其PNP结构适合于负电源供电的电路设计，同时其较高的电流增益（hFE）使其在小信号放大电路中表现优异。此外，该器件具有良好的热稳定性和较低的噪声系数，适合用于高灵敏度放大器的设计。
　　该晶体管的封装形式为TO-92，具有良好的散热性能和机械强度，能够在较为严苛的环境条件下稳定工作。由于其工作频率较高，2SA640E常被用于无线通信设备、射频模块以及各类音频放大电路中。同时，其低功耗特性也使其适用于便携式电子设备的设计。
　　该晶体管的直流电流增益（hFE）范围较宽，根据不同的等级（如O、Y、GR、BL等），其增益值可以在110到800之间变化，满足不同应用场景对放大倍数的需求。

2SA640E广泛应用于高频放大器、射频（RF）放大器、音频放大器以及各类开关电路中。在通信设备中，它可用于前置放大器或驱动放大器的设计。在消费类电子产品中，如收音机、录音设备和音频放大器中，该晶体管也常被用来提升信号强度。此外，2SA640E还适用于各类电子玩具、遥控器和传感器电路中的信号处理和放大应用。

2SA1015、2SA940、2N3906、BC557