IRFB7734是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用PQFN5x6封装形式,适用于各种高效能开关应用,例如DC-DC转换器、负载切换电路、电机驱动和电源管理等场景。IRFB7734以其低导通电阻和高开关速度著称,能够显著降低功耗并提高系统效率。
由于其优异的电气性能和紧凑的封装设计,IRFB7734在便携式电子设备、通信电源以及工业控制等领域有着广泛的应用。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:28A
导通电阻:1.2mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:19nC(典型值)
总热阻(结到环境):45°C/W
工作温度范围:-55°C至+175°C
IRFB7734具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,并提高整体系统效率。
2. 快速的开关速度,能够支持高频操作,适用于开关电源和高频逆变器。
3. 高雪崩能力,可提升器件的耐用性和可靠性。
4. 优化的热性能,便于在紧凑空间内实现高效的散热管理。
5. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品对绿色设计的要求。
此外,其PQFN5x6封装不仅尺寸小巧,还能提供良好的电气和热性能,非常适合空间受限的应用场合。
IRFB7734主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和主开关管。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电池保护和负载切换电路。
4. 电机驱动和工业自动化控制。
5. 通信电源模块和服务器电源管理。
6. 各种需要高性能、低损耗开关的应用场景。
由于其出色的性能和可靠性,IRFB7734特别适合要求高效能和小体积的设计需求。
IRF7734,
AO6402,
STB36NF06L