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MA0402CG681G250 发布时间 时间:2025/7/7 9:46:00 查看 阅读:17

MA0402CG681G250 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低功耗。其封装形式通常为行业标准的小型表面贴装类型,适合高密度电路板设计。

参数

型号:MA0402CG681G250
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅极源极电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):25A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  总栅极电荷(Qg):35nC
  输入电容(Ciss):1200pF
  开关时间:开启延迟时间(td(on)) 35ns,关断传播时间(td(off)) 15ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

MA0402CG681G250 具备卓越的性能特点,包括但不限于以下:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以有效减少传导损耗。
  2. 快速的开关速度确保在高频应用中的高效表现。
  3. 高雪崩击穿能力增强了器件的鲁棒性。
  4. 支持宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),适用于极端环境条件。
  5. 内置 ESD 保护功能提升了产品的可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接。

应用

这款芯片广泛用于多种电子设备和工业领域,例如:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
  3. 电动工具及小型家电中的电机驱动电路。
  4. 汽车电子系统的负载开关与保护电路。
  5. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  6. 各种需要高频、高效功率控制的应用场景。

替代型号

IRFZ44N, FDP5800, AO4404