时间：2025/6/28 20:11:20
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IRFB52N15DPBF是英飞凌（Infineon）生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。其耐压高达150V，具有较低的导通电阻，可以有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：150V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：14A
导通电阻（Rds(on)）：100mΩ（典型值，当Vgs=10V时）
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃至+175℃
IRFB52N15DPBF具备以下主要特性：
1. 高耐压能力，适合在较高电压环境中使用。
2. 低导通电阻，能够减少导通损耗，提升效率。
3. 快速开关速度，适用于高频应用场景。
4. 优异的热稳定性，能在较宽的温度范围内正常工作。
5. 小型化TO-263封装，便于安装和散热设计。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
该芯片广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化控制
6. 汽车电子中的负载切换和保护电路
IRFB52N15PBF, IRFB52N15DPA
