容量：64Mbit
　　接口类型：SPI
　　封装类型：SOIC-8
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取速度：80MHz
　　编程/擦除速度：页编程时间为 0.6ms（典型值），扇区擦除时间为 50ms（典型值）
　　存储结构：64KB 扇区，4KB 子扇区
　　数据保持时间：大于 20 年
　　擦写次数：100,000 次

W25Q64DWSS1G 是一款高性能、低功耗的串行闪存芯片，专为需要高可靠性和大存储容量的应用设计。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造，具有良好的抗干扰能力和稳定性。
　　该芯片支持标准 SPI、双输出 SPI 和四输出 SPI 模式，数据传输速率可达 80MHz，显著提高了数据访问效率。此外，W25Q64DWSS1G 支持灵活的存储管理功能，包括 64KB 扇区和 4KB 子扇区擦除选项，使得用户可以更精细地控制存储空间的使用。
　　在可靠性方面，W25Q64DWSS1G 提供了高达 100,000 次的擦写寿命，数据保存时间超过 20 年，适用于长期数据存储需求。其工作电压范围为 2.7V 至 3.6V，适合多种电源条件下的应用。
　　该芯片还内置了多种安全功能，如软件和硬件写保护机制，防止意外的数据写入或擦除。同时支持 JEDEC 标准 ID 读取，便于系统识别和配置。

W25Q64DWSS1G 主要用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中，如工业控制设备、网络设备、通信模块、消费电子产品（如智能电视、智能音箱）、汽车电子设备（如车载导航系统）等。此外，该芯片也常用于存储固件、引导代码、配置数据、日志信息等关键数据。由于其小巧的封装和低功耗特性，W25Q64DWSS1G 也适用于便携式设备和物联网（IoT）设备中的存储需求。

W25Q64JVSS1G, W25Q64FV, MX25L6433F, SST25VF064C