时间：2025/9/1 13:59:39
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IS61LV12816L-10LQLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速异步静态随机存取存储器（SRAM），容量为128K x 16位，适用于需要快速数据访问和非易失性数据存储的应用场景。该器件采用CMOS技术制造，具有低功耗、高性能和高可靠性的特点。该SRAM采用55ns的访问时间，适合用于网络设备、工业控制系统、通信设备和嵌入式系统等。
类型：静态RAM（SRAM）
容量：128K x 16位（2Mbit）
电源电压：3.3V
访问时间：55ns（最大）
封装类型：LQFP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据总线宽度：16位
功耗：典型值为150mA（待机模式下低于10mA）
控制信号：CE#, OE#, WE#
封装尺寸：14mm x 20mm
IS61LV12816L-10LQLI具备高速访问能力，访问时间仅为55纳秒，确保了快速的数据读写操作，适合对时延要求较高的应用环境。该器件采用低功耗CMOS技术，在保持高性能的同时，显著降低了运行功耗，使其适用于对能耗敏感的嵌入式和便携式设备。
其异步接口设计使得与多种处理器和控制器的连接变得简单，无需复杂的时序控制电路。此外，该SRAM支持全地址解码，确保了内存空间的高效利用。
IS61LV12816L-10LQLI采用LQFP封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合工业级应用。工作温度范围宽，可在-40°C至+85°C之间稳定运行，适用于恶劣环境下的设备。
该器件还具备自动省电模式，在未被访问时自动进入低功耗状态，进一步提升能效。数据保持功能确保在掉电情况下，只要保持电源稳定，数据不会丢失。
IS61LV12816L-10LQLI广泛应用于通信设备（如路由器、交换机）、工业控制系统、医疗设备、嵌入式系统、测试设备和网络设备等领域。其高速、低功耗和高可靠性的特点，使其成为需要快速数据缓冲和临时存储的理想选择。此外，该SRAM也可用于图像处理、数据缓存、协议转换和数据采集等高性能应用。
IS61LV12816-10LQI, CY62148E, IDT71V128L, AS7C3128A-10TC
