型号：IRFB4620
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压VDS：200 V
　　连续漏极电流ID：51 A
　　脉冲漏极电流IDM：204 A
　　栅源电压VGS：±20 V
　　导通电阻RDS(on)：33 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 25.5 A
　　导通电阻RDS(on)：42 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 25.5 A
　　阈值电压VGS(th)：2.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容Ciss：4900 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容Coss：580 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间trr：55 ns
　　最大功耗PD：307 W
　　工作结温范围TJ：-55 °C ~ +150 °C
　　封装类型：TO-247

IRFB4620采用了英飞凌先进的沟槽栅场效应晶体管技术，这种结构显著降低了单位面积下的导通电阻，从而提升了器件的整体效率。其典型导通电阻仅为33毫欧（在VGS=10V，ID=25.5A条件下），这意味着在大电流应用中产生的焦耳热更少，有助于延长系统寿命并减少对散热系统的依赖。此外，该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这使得它在高频开关操作中表现出色，能够有效降低驱动损耗和开关过渡时间，提升电源转换效率。
　　该器件拥有高达51安培的连续漏极电流处理能力，并可在短时间内承受高达204安培的脉冲电流，适用于突发负载或启动瞬间的大电流需求场景。其200伏的漏源击穿电压使其适用于多种中高压直流系统，例如太阳能逆变器、电动工具电源和工业电机驱动器等。TO-247封装不仅提供了优异的热传导路径，还能通过外部散热片进一步增强散热效果，确保器件在高功率密度环境下稳定运行。
　　IRFB4620还具备良好的抗雪崩能力，能够在发生意外电压尖峰时吸收一定的能量而不损坏，提高了整个系统的鲁棒性。这一特性对于防止因电感负载突然断开而引起的电压浪涌尤为重要。同时，其较宽的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能在极端温度条件下可靠工作，适用于户外设备或高温工业环境。
　　此外，该MOSFET具有较低的输入和输出电容，有助于减少高频噪声和电磁干扰（EMI），从而简化滤波电路设计。其阈值电压范围适中（2.0V~4.0V），兼容多种逻辑电平驱动信号，包括微控制器和专用栅极驱动IC，提升了系统集成的灵活性。总体而言，IRFB4620凭借其卓越的电气性能、坚固的封装设计和广泛的适用性，成为现代电力电子系统中不可或缺的关键组件之一。

IRFB4620广泛应用于各类高效率开关电源系统中，如AC-DC和DC-DC转换器，特别是在需要高电流输出和低导通损耗的同步整流拓扑结构中表现优异。其低RDS(on)和高电流能力使其非常适合用于服务器电源、通信电源模块以及工业级电源供应单元。此外，在电机驱动领域，该器件常被用于H桥或半桥配置中，作为主开关元件控制直流电机或步进电机的正反转与速度调节，常见于自动化设备、机器人控制系统和电动车辆辅助系统中。
　　在可再生能源系统中，IRFB4620可用于太阳能微型逆变器和储能系统的功率转换环节，实现高效的直流到交流能量变换。其高耐压和强抗扰能力也使其适用于LED照明驱动电源，尤其是大功率LED阵列的恒流控制电路。在消费类电子产品中，如高端游戏主机、笔记本电脑适配器和快速充电器中，该MOSFET同样发挥着重要作用。
　　另外，由于其出色的动态响应特性和热稳定性，IRFB4620也被广泛用于UPS不间断电源、焊机电源、激光驱动器和感应加热设备中。在这些应用中，器件需频繁进行高速开关操作，而IRFB4620的低栅极电荷和快速开关能力正好满足此类需求。其TO-247封装便于安装在散热器上，适合长时间满负荷运行的工业设备。总而言之，IRFB4620凭借其全面的性能优势，已成为众多中高功率电力电子应用中的核心开关器件。

SPB46N20C3
　　FQP46N20
　　STP46N20F7
　　IPB46N20N