13NM65 时间：2025/12/27 8:17:23 阅读：11

13NM65是一款由Power Integrations公司生产的高电压MOSFET晶体管，主要用于开关电源（SMPS）应用。该器件集成了多种保护功能和优化的热性能设计，适用于中低功率电源转换系统。13NM65中的“13N”通常表示其导通电阻和电压等级的系列标识，“65”则代表其最大漏源击穿电压为650V。该MOSFET采用先进的平面栅极技术制造，具备良好的动态性能和可靠性，能够满足工业、消费类电子以及家电产品对高效能、高稳定性的需求。13NM65常用于反激式转换器拓扑结构中，特别适合集成在Power Integrations的TOPSwitch或InnoSwitch等高度集成的电源控制器芯片所构建的系统中。由于其内置了快速体二极管并具有较低的栅极电荷，因此能够在高频开关条件下实现较低的开关损耗，从而提升整体能效。此外，该器件还具备较强的雪崩耐受能力，在瞬态过压情况下表现出良好的鲁棒性，增强了系统的安全性和寿命。封装方面，13NM65通常采用TO-220或DPAK等标准功率封装形式，便于散热管理和自动化装配。

参数

型号：13NM65
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650 V
　　最大漏极电流（Id）：1.3 A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值约11 Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　最大功耗（Pd）：50 W（取决于封装与散热条件）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　输入电容（Ciss）：约300 pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约80 pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值小于100 ns
　　封装形式：TO-220、DPAK（根据具体版本）

特性

13NM65具备出色的高压击穿能力和稳定的高温工作性能，能够在650V的高电压环境下可靠运行，适用于全球通用输入电压范围（85VAC至265VAC）的开关电源设计。
　　该MOSFET采用了优化的平面工艺技术，使得其在保持较高耐压的同时，仍具备相对较低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了电源的整体效率。
　　其栅极电荷（Qg）较低，意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化驱动设计并降低控制芯片的负载，尤其适合与集成控制器协同工作的紧凑型电源方案。
　　13NM65内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，有效降低了在反激拓扑中次级整流回路产生的电压尖峰，减少了电磁干扰（EMI），提高了系统的稳定性。
　　器件具备良好的热阻特性，结合适当的散热设计可长时间运行于高负载条件下而不发生热失效，确保长期使用的可靠性。
　　该MOSFET通过了多项国际安规认证，符合RoHS环保要求，并具备抗潮湿、抗振动等机械可靠性，广泛应用于工业控制、照明电源、适配器及家用电器等领域。
　　此外，13NM65的设计考虑了生产一致性与良率控制，保证了批次间的参数稳定性，有利于大规模量产中的品质管理。

应用

13NM65主要应用于中小功率开关模式电源系统中，典型用途包括手机充电器、笔记本电脑适配器、LED驱动电源以及家用电器中的内置电源模块。
　　在反激式转换器拓扑中，它作为主开关元件负责将直流高压进行周期性斩波，实现能量从初级侧向次级侧的传递，配合变压器和反馈控制电路完成稳压输出。
　　由于其高耐压特性，该器件特别适合用于宽输入电压范围的离线式电源设计，例如支持90V至265V交流输入的通用输入电源，适用于出口型电子产品。
　　在工业领域，13NM65可用于PLC电源模块、传感器供电单元、小型继电器驱动电源等对可靠性和空间布局有要求的应用场景。
　　此外，该器件也常见于空调、洗衣机、微波炉等白色家电的辅助电源（auxiliary power supply）部分，为控制板提供稳定的低压直流电。
　　由于其封装兼容性强，易于安装和更换，因此在维修和替换市场中也有广泛应用。
　　在LED照明系统中，13NM65可用于隔离式恒流驱动电源，满足调光兼容性和能效标准的要求，如Energy Star或ERP指令。