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IRFB4321PBF 发布时间 时间:2025/5/26 21:12:34 查看 阅读:24

IRFB4321PBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-263-3封装形式。该器件专为高频开关应用设计,具有低导通电阻和高切换速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等场景。其工作电压范围宽广,能够承受较高的漏源电压,并具备优秀的热性能。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(典型值):7.5mΩ
  总功耗:115W
  结温范围:-55℃至175℃
  开关时间:开通延迟时间 19ns,关断传播时间 14ns

特性

IRFB4321PBF是一款高性能的功率MOSFET,其主要特点包括以下方面:
  1. 低导通电阻:其典型导通电阻仅为7.5mΩ,这使得器件在大电流应用中损耗较小,效率更高。
  2. 高切换速度:短开关时间和低输入电容使其非常适合高频开关应用。
  3. 热性能优越:采用TO-263-3封装形式,能够有效散热并支持长时间稳定运行。
  4. 宽电压范围:最大漏源电压为55V,可满足多种电源系统的电压需求。
  5. 高可靠性:器件能够在高达175℃的结温下正常工作,适合严苛的工作环境。

应用

IRFB4321PBF适用于广泛的电子电路领域,主要包括以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS):由于其低导通电阻和快速开关特性,非常适合作为开关元件用于高效能电源转换。
  2. DC-DC转换器:可用于降压或升压型DC-DC转换器中,提供稳定的输出电压。
  3. 电机驱动:在电动工具、家用电器等电机控制电路中用作功率级驱动元件。
  4. 工业控制:如工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  5. 充电器:手机、笔记本电脑等便携式设备的快速充电解决方案。
  6. 通信设备:基站电源、网络交换机等通信系统中的电源模块。

替代型号

IRFB4310PBF, IRFB4320PBF

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IRFB4321PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C85A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 33A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4460pF @ 50V
  • 功率 - 最大350W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件