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K9F1G08U0B-PIB0 发布时间 时间:2025/5/7 13:21:30 查看 阅读:9

K9F1G08U0B-PIB0 是三星公司生产的一款 NAND Flash 存储芯片。该芯片采用先进的制造工艺,具有高容量、高性能和低功耗的特点。其主要用途是为各种嵌入式系统和消费类电子产品提供数据存储解决方案。
  该芯片的存储容量为 128Mb(16MB),支持 8 位数据总线,并且符合标准的 NAND Flash 接口规范。它广泛应用于手机、数码相机、MP3 播放器等便携式电子设备中。

参数

存储容量:128Mb (16MB)
  接口类型:NAND Flash
  数据宽度:8 位
  工作电压(Vcc):2.7V ~ 3.6V
  待机电流:最大 5μA
  擦写周期:100,000 次
  数据保持时间:10 年
  工作温度范围:0°C ~ 70°C
  封装形式:TSOP48

特性

K9F1G08U0B-PIB0 的主要特性包括:
  1. 高密度存储能力,单芯片即可实现大容量数据存储。
  2. 支持快速读写操作,能够满足多种应用场合对速度的需求。
  3. 内置错误检测与纠正功能,确保数据的可靠性和完整性。
  4. 具有低功耗设计,非常适合电池供电的便携式设备。
  5. 稳定的工作性能以及长寿命的擦写能力,可有效延长产品的使用寿命。
  6. 小型化封装,便于在紧凑空间内集成到各类电路板中。

应用

K9F1G08U0B-PIB0 芯片被广泛应用于以下领域:
  1. 移动通信设备,如智能手机、功能手机和平板电脑等。
  2. 数码影像产品,例如数码相机、摄像机和多媒体播放器等。
  3. USB 闪存盘及固态硬盘(SSD)等外置存储设备。
  4. 嵌入式系统,如导航仪、工控机和家用电器中的数据记录模块。
  5. 各种需要非易失性存储的应用场景,如物联网设备和智能卡。

替代型号

K9F1G08R0A-PIC0, K9F1G08U0M

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