时间：2025/5/8 0:34:06
阅读：10
IRFB38N20D 是一款由英飞凌（Infineon）推出的 N 沣道 Mosfet，属于逻辑电平驱动型器件。该芯片采用 TO-252 封装形式，适用于需要高效率和低导通损耗的应用场景。由于其优异的性能，IRFB38N20D 广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。
这款功率 MOSFET 的最大特点是具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和较高的工作电压，能够支持 200V 的最大漏源极电压，同时在低栅极驱动电压下也能实现高效的导通性能。
最大漏源电压：200V
最大连续漏电流：14.1A
导通电阻：0.25Ω（在 Vgs=10V 时）
栅极阈值电压：2V 至 4V
总功耗：97W
封装类型：TO-252
IRFB38N20D 提供了多种优越特性，使其成为许多电力电子应用的理想选择。首先，它具有较低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
其次，该 MOSFET 支持逻辑电平驱动，这意味着它可以在较低的栅极驱动电压下正常工作，例如常见的 5V 或者 3.3V 驱动信号，从而简化了电路设计。
此外，IRFB38N20D 具有快速的开关速度，可以降低开关损耗并适合高频应用。最后，它的封装形式紧凑且散热性能良好，方便用户集成到各种终端产品中。
IRFB38N20D 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动和控制
4. 电池管理与保护电路
5. 工业自动化设备中的功率开关
6. 消费类电子产品中的负载切换
IRFZ44N, FQP17N20
