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H9TP33A8LDMCMR-KYM 发布时间 时间:2025/9/2 9:26:34 查看 阅读:6

H9TP33A8LDMCMR-KYM 是一款由SK Hynix(海力士)制造的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于高端智能手机、平板电脑以及其他需要大容量内存和高速数据处理能力的移动设备。该芯片采用了LPDDR4(低功耗双倍数据速率第4代)技术,具备低功耗、高带宽和高密度的特点,适用于现代移动设备对内存性能的严格要求。

参数

容量:3GB(3.584MB x 9 banks)
  电压:1.1V(核心电压)/ 1.8V(I/O电压)
  封装类型:FBGA
  引脚数量:168-pin
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  数据速率:3200Mbps
  数据宽度:x32
  时钟频率:1600MHz

特性

H9TP33A8LDMCMR-KYM 的核心特性包括其先进的LPDDR4架构,这使得该芯片在保持高性能的同时,显著降低了功耗,从而延长了设备的电池续航时间。
  其3200Mbps的数据传输速率确保了快速的数据访问和处理能力,适用于高清视频播放、大型游戏和多任务处理等应用场景。
  该芯片采用了168-pin FBGA封装技术,具有较小的封装尺寸和较高的封装密度,适合在空间受限的移动设备中使用。
  此外,H9TP33A8LDMCMR-KYM 还支持多种节能模式,包括自刷新模式(Self-Refresh Mode)和深度掉电模式(Deep Power-Down Mode),进一步优化了其功耗表现。
  为了提高可靠性和稳定性,该芯片还具备先进的错误检测和纠正功能,能够在复杂的操作环境中保持数据的完整性。

应用

H9TP33A8LDMCMR-KYM 主要用于各种高端移动设备,如旗舰级智能手机和平板电脑。其高性能和低功耗特性使其非常适合用于处理复杂的应用程序和多任务操作,例如高清视频播放、3D游戏、虚拟现实(VR)和增强现实(AR)应用。
  此外,该芯片也可用于嵌入式系统、工业控制设备以及需要高速数据处理能力的其他电子设备中。
  由于其出色的性能和可靠性,H9TP33A8LDMCMR-KYM 也被广泛应用于汽车电子系统中,如车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)。
  同时,该芯片还可用于高性能计算设备、网络设备和存储设备,满足不同领域对高性能内存的需求。

替代型号

H9TP32A8JDACLR-KEC, H9TP32A8JDAMLR-KEC, H9TP33A8JDMCXR-KGM

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