型号：IRFR13N15
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：150V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：13A
　　脉冲漏极电流（Idm）：52A
　　导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs：0.18Ω
　　导通电阻（Rds(on)）@4.5V Vgs：0.23Ω
　　阈值电压（Vth）：典型2.0V，范围1.5~2.5V
　　输入电容（Ciss）：典型600pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：典型150pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型45ns
　　最大功耗（Pd）：75W @ 25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220AB

IRFR13N15具备多项关键特性，使其在功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻Rds(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其是在大电流条件下，有助于提升系统整体效率并减少发热。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为0.18Ω，即使在较低的栅极驱动电压4.5V下也能保持0.23Ω的低阻值，这使得它兼容多种逻辑电平驱动电路，包括微控制器直接驱动的应用场景。其次，该器件采用了英飞凌成熟的沟槽栅技术，优化了载流子迁移路径，提高了跨导和开关速度，从而实现了更快的开关响应和更低的开关损耗，特别适用于高频PWM控制场合。
　　另一个重要特性是其高电压耐受能力，最大漏源电压可达150V，适用于中高压电源系统，如工业电源、光伏逆变器和电机驱动器。同时，该MOSFET具有较强的雪崩能量承受能力，能够在突发的电压过冲或感性负载断开时保护自身不被击穿，提升了系统的安全性和长期运行的稳定性。此外，其内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（典型45ns），可有效减少反向恢复过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），避免因二极管反向恢复引起的电压振荡问题。
　　热性能方面，IRFR13N15的最大功耗为75W（在25°C环境下），结合TO-220AB封装良好的热传导设计，可通过外接散热片实现有效散热，确保在高负载条件下仍能稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）也使其适用于严苛的工业环境。栅极电荷（Qg）较低，典型值约为30nC，意味着驱动电路所需的驱动功率较小，有利于简化驱动设计并降低驱动芯片的成本。综合来看，IRFR13N15在效率、可靠性、驱动兼容性和热管理方面的平衡表现，使其成为中功率开关应用中的优选器件。

IRFR13N15广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合需要高效开关性能和中等功率处理能力的场合。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于主开关管或同步整流器，利用其低Rds(on)和快速开关特性来提高转换效率，降低温升。在DC-DC转换器，特别是升压（Boost）、降压（Buck）和升降压（Buck-Boost）拓扑中，该器件能够胜任高频率工作的需求，支持紧凑型电感和电容的设计，有助于减小电源体积。
　　在电机控制领域，IRFR13N15可用于直流电机的H桥驱动电路或步进电机的相位开关，其高电流承载能力和快速响应特性有助于实现精确的速度和方向控制。此外，在逆变器系统中，如太阳能逆变器或UPS不间断电源，该MOSFET可作为桥臂开关元件，参与将直流电转换为交流电的过程，其高耐压和良好热稳定性确保了在长时间运行中的可靠性。
　　其他应用还包括电池充电管理、LED驱动电源、电焊机电源模块以及各类工业自动化设备中的功率开关模块。由于其具备较强的抗浪涌能力和良好的热循环耐久性，也适用于车载电子系统或户外设备等环境条件较为恶劣的应用场景。总之，凡是需要150V以内电压等级、10A以上电流能力且追求高效率的开关应用，IRFR13N15都是一个值得考虑的高性能解决方案。

IRF13N15D
　　SPF13N15
　　STP13NF15
　　FQP13N15