型号：IRFB31N20
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：31 A
　　连续漏极电流（Id）@100°C：19.5 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：124 A
　　功耗（Pd）：200 W
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：65 mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V, Id=15.5A：80 mΩ
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值3.5 V，范围2.5~4.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值2530 pF
　　输出电容（Coss）：典型值470 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值37 ns
　　工作结温范围：-55 ~ +150 °C
　　封装：TO-247

IRFB31N20采用英飞凌先进的沟槽栅MOSFET技术，这种结构优化了电流传导路径，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。其65mΩ的低Rds(on)值在200V耐压等级中表现出色，能够支持大电流应用，同时降低温升，提高可靠性。该器件的高电流处理能力（高达31A）使其适用于高功率开关电路，如工业电源和电机控制。
　　该MOSFET具备出色的开关性能，输入电容和输出电容较小，使得栅极驱动功率需求较低，有利于高频操作。其快速的开关响应时间和较短的反向恢复时间（trr=37ns）减少了开关过程中的能量损耗，提升了转换效率，特别适用于高频开关电源和DC-DC变换器。
　　IRFB31N20还具有强大的热稳定性与耐用性。TO-247封装提供了优良的热传导路径，便于安装散热器，有效控制结温上升。其最大功耗可达200W，结温范围宽达-55至+150°C，确保在极端环境条件下仍能安全运行。此外，该器件具备高抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感负载突变时保护自身不被击穿，增强了系统的鲁棒性。
　　在可靠性方面，IRFB31N20通过了严格的工业级认证，具备高抗干扰能力和长期稳定性。其栅氧化层设计可承受±30V的栅源电压，防止因驱动信号波动导致的损坏。集成的体二极管具有快速恢复特性，减少了外部续流二极管的需求，简化了电路设计并节省PCB空间。总体而言，IRFB31N20是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、功率密度和稳定性要求较高的现代电力电子系统。

IRFB31N20广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关器件，利用其低导通电阻和快速开关特性实现高能效转换。在工业电源系统中，该器件可用于PWM控制电路、电机驱动器和伺服控制系统，提供稳定的电流输出和高效的能量管理。
　　此外，IRFB31N20也适用于逆变器设计，如太阳能逆变器、UPS不间断电源和电动汽车充电模块，其高击穿电压和强电流能力能够满足这些应用对功率处理的严苛要求。在照明电源领域，特别是高强度放电灯（HID）镇流器和LED驱动电源中，该MOSFET可用于高频斩波和调光控制。
　　由于其具备良好的热性能和抗冲击能力，IRFB31N20还可用于工业加热控制、电磁阀驱动、电池管理系统（BMS）以及各类电源模块中。其高可靠性也使其成为通信电源、服务器电源和工业自动化设备中的理想选择。总之，任何需要高效、高电压、大电流开关功能的应用场景，均可考虑使用IRFB31N20作为核心功率开关元件。

SPW31N20CF
　　IPW31N20C
　　STW31N20
　　FQP31N20