时间：2025/12/29 11:51:43
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SRE6603-150M是一款由Sanken Electric（三垦电气）制造的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类型。这款器件专为高功率应用设计，具有出色的热稳定性和电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和工业控制系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：150V
最大漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：4.2mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：140nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247
SRE6603-150M MOSFET具有多个关键特性，使其适用于高功率和高效率的应用场景。首先，其低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了能效。其次，该器件支持高达60A的漏极电流，能够处理大功率负载的需求。此外，SRE6603-150M的最大漏源电压为150V，适用于中高电压的电源转换系统。其高栅极电荷（Qg）特性确保了在高频开关应用中保持稳定性能，同时其TO-247封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。最后，SRE6603-150M的工作温度范围较宽，可在极端环境下稳定运行，提高了器件的可靠性。
该MOSFET还具备优异的短路和过热保护能力，使其在工业和汽车电子应用中表现尤为出色。其封装设计符合行业标准，便于在PCB上安装和散热器连接，适用于各种高要求的电子系统设计。
SRE6603-150M广泛应用于多个高功率电子系统中，包括但不限于：工业电源、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电动车充电系统、电池管理系统（BMS）以及各种开关电源设备。由于其高耐压和大电流能力，该器件非常适合用于需要高效能功率转换和管理的场合。
IXFH60N150P, STW60N150DV, IRFP4668
