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IRF9952TR 发布时间 时间:2025/4/30 16:03:51 查看 阅读:4

IRF9952TR是英飞凌(Infineon)公司生产的MOSFET晶体管,具体来说是一种P沟道增强型功率MOSFET。该器件通常用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用场合。它具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,能够在高频条件下提供高效的性能。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:-47A
  栅源电压:±20V
  导通电阻:3.8mΩ(典型值,在Vgs=-10V时)
  总功耗:234W
  结温范围:-55℃ to +150℃

特性

IRF9952TR的主要特性包括其优异的热性能和电气性能。
  首先,它拥有非常低的导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  其次,该器件能够承受较大的电流,适用于需要大功率输出的应用。
  此外,它的快速开关速度使得它非常适合高频操作环境。
  最后,IRF9952TR具备良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠工作,这对工业和汽车领域的应用尤为重要。

应用

IRF9952TR广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器
  2. DC-DC转换器中的高端开关
  3. 各类电机控制电路中的功率级组件
  4. 负载切换和保护电路
  5. 电池管理系统中的充放电控制
  6. 汽车电子中的电源管理单元
  由于其高电流承载能力和低导通电阻,IRF9952TR特别适合要求高效能和紧凑设计的场合。

替代型号

IRF9952NTRPBF, IRF9952NTRPBFHE

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IRF9952TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.5A,2.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds190pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)