时间：2025/7/25 5:10:29
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DS1243Y是一款由Maxim Integrated（原Dallas Semiconductor）制造的非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）芯片。它结合了SRAM的高速性能和EEPROM的非易失特性，能够在断电情况下通过内部锂电池保持数据完整性。DS1243Y通常用于需要高速访问和数据保留的应用场合，例如工业控制、通信设备和嵌入式系统。该芯片采用28引脚SOIC封装，具有宽温度范围，适合工业级应用。
容量：4K位（512 x 8）
电压范围：3.0V至5.5V
访问时间：最大120ns（在5V供电时）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：28引脚SOIC
电池电压监测：内置电池电压检测电路
数据保持电流：典型值10μA（最大30μA）
读写操作次数：无限次
数据保留时间：典型值10年（使用内部锂电池）
DS1243Y的主要特性之一是其高速SRAM性能与非易失性存储的结合。该芯片在正常操作下表现得像标准SRAM，具有快速读写能力，访问时间低至120ns，适合需要高性能存储的应用。芯片内置锂电池和电池电压监测电路，在主电源失效时自动切换至电池供电，确保数据不会丢失。当主电源恢复后，芯片会自动重新加载数据并恢复正常操作。
此外，DS1243Y支持无限次读写操作，而不会像EEPROM或Flash那样存在写入寿命限制。这种特性使其非常适合频繁更新数据的应用场景。芯片还具有低功耗特性，在数据保持模式下电流消耗极低，典型值仅为10μA，有助于延长电池寿命。
DS1243Y的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种工业环境，并且封装形式为28引脚SOIC，便于在PCB上安装和布线。
DS1243Y广泛应用于需要在断电情况下保持数据完整性的系统中，例如工业控制器、自动化设备、数据采集系统和嵌入式设备。它特别适合用于存储关键的运行参数、配置信息或临时数据，这些数据在系统断电后仍需保留。例如，在工厂自动化系统中，DS1243Y可以用于存储设备状态和校准数据；在通信设备中，可以用于保存配置设置和日志信息；在POS终端和智能电表中，也可以用于存储交易记录和测量数据。
DS1243Y-100、DS1245Y、DS1248Y、FM18W08、FM18X08、IS66WVH2M8AALL、IS66WVH2M8ABLL
