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IRF9540S 发布时间 时间:2025/3/25 14:10:09 查看 阅读:4

IRF9540S是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。它属于IR(International Rectifier)公司推出的MOSFET系列,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
  该器件采用TO-220封装形式,适合高电流和高电压的应用环境。其设计使得它在高频开关条件下仍能保持高效性能。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:7.3A
  最大脉冲漏极电流:36A
  栅极阈值电压:4V
  导通电阻(典型值):0.28Ω
  总功耗:115W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高速开关性能,能够适应高频供出色的雪崩能力和鲁棒性,确保在异常条件下的可靠运行。
  4. 栅极电荷较小,驱动要求简单,从而降低整体系统复杂度。
  5. 热阻较低,便于散热管理,提升长期工作的稳定性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业规范。

应用

1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器,用于升压、降压或升降压拓扑结构。
  3. 电机控制,包括小型直流电机驱动和PWM调速。
  4. 负载开关和保护电路,例如过流保护和短路保护。
  5. 各类消费类电子产品中的功率调节模块,如充电器、适配器等。
  6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率放大环节。

替代型号

IRF540N, IRFZ44N, STP75NF06L

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IRF9540S参数

  • 数据列表IRF9540S
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C19A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs61nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF9540S