类型：SRAM
　　容量：256K x 16
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　数据宽度：16位
　　封装尺寸：8mm x 13mm
　　接口类型：并行
　　功耗：典型值为180mA（待机模式下为10mA）

A3188LLTTRT采用了先进的CMOS技术，确保了高速数据存取和极低的功耗。其高速访问时间为5.4ns，能够满足对时间要求极为严格的应用需求。该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在各种恶劣环境下稳定运行。其电源电压范围为2.3V至3.6V，具备良好的电压适应能力，适用于多种电源管理系统。此外，该SRAM的TSOP封装形式不仅减小了PCB占用空间，还提高了封装的可靠性，降低了电磁干扰（EMI）。在待机模式下，A3188LLTTRT的功耗仅为10mA，非常适合用于需要长时间运行的便携式设备和低功耗系统。其16位的数据宽度设计也使得它在处理大量数据时具有更高的效率和灵活性。

A3188LLTTRT广泛应用于工业控制系统、网络交换设备、通信基础设施、嵌入式系统、图像处理设备、便携式电子产品以及汽车电子系统等场景。由于其高速度、低功耗和宽温度范围的特性，使其成为需要高可靠性和高性能存储解决方案的理想选择。例如，在工业自动化设备中，A3188LLTTRT可以作为缓存存储器用于高速数据缓冲；在网络设备中，可用于存储路由表和数据包缓存；在嵌入式系统中，可作为主存储器或辅助存储器使用。此外，它还可用于需要高稳定性的医疗电子设备和测试测量仪器中。

IS61LV25616-10BLL