型号：IRF9521
　　极性：P沟道
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-4.6A（@Tc=70℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-18.4A
　　功耗（Pd）：1.6W
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（@Vgs=-10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：42mΩ（@Vgs=-4.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：400pF（@Vds=10V）
　　开关时间（开启延迟）：6ns
　　开关时间（上升时间）：28ns
　　开关时间（关闭延迟）：22ns
　　开关时间（下降时间）：18ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SO-8

IRF9521采用先进的沟槽MOSFET技术，确保了其在低电压应用中的高效性能。该器件的低导通电阻（Rds(on)）使其在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提升系统的整体能效。例如，在电池供电设备中，低Rds(on)有助于延长电池续航时间。其最大导通电阻在-10V栅压下仅为32mΩ，而在-4.5V的逻辑电平驱动下也能维持在42mΩ以内，表明该器件既适用于标准驱动电路，也兼容低电压逻辑控制信号，提高了设计灵活性。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），典型值约为10nC，这一特性显著降低了驱动电路的功耗，尤其在高频开关应用中尤为重要。低Qg意味着更少的能量用于充放电栅极，从而减少开关过程中的能量损失，提升电源转换效率。同时，输入电容（Ciss）仅为400pF，进一步减轻了驱动负担，使控制器更容易驱动该器件，减少了对外部驱动芯片的依赖。
　　IRF9521具备出色的热稳定性与可靠性。其SO-8封装虽然体积小巧，但通过优化内部结构和引脚设计，实现了良好的散热性能。在70℃外壳温度下，连续漏极电流可达-4.6A，说明其在紧凑空间内仍能承载较高负载。此外，器件的工作结温范围高达+150℃，确保其在高温环境下稳定运行，适用于对环境适应性要求较高的工业应用场景。
　　该器件还具备一定的抗雪崩能力，能够在电压瞬变或感性负载切换时吸收一定的能量，避免因电压尖峰导致的损坏。这种内在的鲁棒性提升了系统在异常工况下的安全性，减少了对外部保护元件（如TVS二极管）的依赖，从而简化了电路设计并节省PCB空间。综合来看，IRF9521凭借其低导通电阻、低电容、良好热性能和高可靠性，成为中小功率P沟道MOSFET应用中的优选方案。

IRF9521广泛应用于多种电源管理场景中，尤其是在需要高效率和小尺寸封装的便携式电子设备中表现突出。常见应用包括移动电话、平板电脑、笔记本电脑和其他电池供电设备中的负载开关或电源路径控制。在这些系统中，IRF9521可用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或系统级电源管理。
　　在DC-DC转换器拓扑中，尤其是同步降压（Buck）转换器中，IRF9521可作为上管或下管使用，尤其适合作为低边同步整流器。其低Rds(on)和快速开关特性有助于减少导通和开关损耗，提高转换效率，满足现代电子设备对能效日益严格的要求。此外，在低压反激式或升压（Boost）电路中，该器件也可用于实现高效的能量传递与控制。
　　工业控制领域中，IRF9521常用于继电器驱动、电机控制和传感器供电模块中，作为开关元件实现对负载的精确控制。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，可在较宽的环境温度范围内可靠工作，适用于自动化设备、智能仪表和嵌入式控制系统。
　　在热插拔电路和电源冗余设计中，IRF9521也发挥着重要作用。其快速响应能力和低导通损耗使其能够平稳地控制电源接入过程，防止浪涌电流对系统造成冲击。此外，该器件还可用于LED驱动电路中，作为恒流调节或开关控制元件，实现亮度调节和节能控制。总体而言，IRF9521凭借其优异的电气特性和紧凑封装，适用于各类对空间、效率和可靠性有要求的中低功率开关应用。

IRF9521PBF
　　SI2301DS
　　DMG2301U
　　AO3401A
　　FDD9422