GS9001-CTME3 是一款由 GSI Technology 公司生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。它属于高速存储器类别,通常用于需要快速数据访问的应用场景。GS9001-CTME3 是一个异步SRAM,具有较高的可靠性与稳定性,适用于工业、通信、网络设备等领域。
存储容量:1Mbit
组织方式:128K x 8
电源电压:3.3V
访问时间:10ns
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
封装类型:TSOP
引脚数:54
数据保持电压:2V
最大工作频率:166MHz
读取电流:180mA(典型值)
待机电流:10mA(最大值)
GS9001-CTME3 是一款高性能异步SRAM,具有10ns的访问时间,能够满足高速数据处理的需求。其128K x 8的组织方式提供了较大的数据存储空间,并且在高速访问的同时保持了较低的功耗。该芯片支持166MHz的工作频率,适用于需要高速缓存的应用场景。此外,GS9001-CTME3 采用3.3V电源供电,具有数据保持电压低至2V的特点,能够在电源不稳定的情况下保持数据的完整性。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种恶劣的工作环境。封装形式为54引脚TSOP,便于集成到各种电子设备中。
该SRAM芯片具有优异的可靠性和稳定性,广泛应用于网络设备、通信系统、工业控制、测试设备等高要求的电子系统中。GS9001-CTME3 提供了高性能与低功耗的平衡,是许多高速系统中的理想选择。
GS9001-CTME3 常用于需要高速数据存储和快速访问的场合,例如路由器、交换机、通信设备、工业控制系统、测试仪器、医疗设备和嵌入式系统。其优异的性能使其成为需要高可靠性和高速数据处理的工业和通信设备的理想选择。
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