时间：2025/7/10 12:20:42
阅读：11
IRF9335TRPBF 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 TO-263-3（D2PAK），适合用于需要高效功率转换的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：21A
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IRF9335TRPBF 提供了非常低的导通电阻，能够显著减少传导损耗，提高效率。
它支持较高的持续电流，适用于大功率应用环境。
具备快速开关能力，有助于降低开关损耗。
采用 D2PAK 封装，提供良好的散热性能，并且易于安装在 PCB 上。
由于其高耐热性和可靠性，能够在极端温度条件下稳定运行。
该 MOSFET 广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：
直流-直流转换器（DC-DC 转换器）
电机驱动和控制电路
负载切换模块
电源管理单元
不间断电源系统（UPS）
逆变器和变频器
电池充电器等功率相关产品。
IRFZ44N, IRF540N
