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STL12P6F6 发布时间 时间:2025/7/1 0:27:56 查看 阅读:4

STL12P6F6是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。STL12P6F6具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,适合于需要高效能和高可靠性的应用。
  该器件的额定漏源极电压为60V,连续漏极电流可达12A,适用于中低电压范围内的功率转换和控制应用。其优化的栅极电荷设计有助于降低开关损耗,同时提高了系统的整体效率。

参数

漏源极电压:60V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:3.8mΩ
  栅极电荷:48nC
  开关时间:典型值ton=25ns,toff=25ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

STL12P6F6采用了先进的制造工艺,具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高击穿电压和大电流承载能力,使其能够在苛刻的工作条件下稳定运行。
  3. 快速开关速度,可有效降低开关损耗并支持高频操作。
  4. 优化的栅极驱动设计,确保了良好的动态性能和稳定性。
  5. 工作温度范围宽广,能够适应各种环境条件下的应用需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业对绿色产品的要求。

应用

STL12P6F6适用于多种功率电子领域,包括但不限于以下应用:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子、通信设备和工业自动化。
  3. 电机驱动,支持直流无刷电机和其他类型电机的控制。
  4. 负载开关和保护电路,在电池管理系统中起到关键作用。
  5. 照明驱动器,例如LED驱动电路中的功率开关元件。
  由于其出色的性能,STL12P6F6在许多高性能、高效率的应用场合中表现出色。

替代型号

STL13P6F6
  STL14P6F6
  IRFZ44N
  FDP5570

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STL12P6F6参数

  • 现有数量5,430现货
  • 价格1 : ¥8.82000剪切带(CT)3,000 : ¥3.74782卷带(TR)
  • 系列DeepGATE?, STripFET? VI
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)160 毫欧 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)6.4 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)340 pF @ 48 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)75W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerFlat?(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN