STL12P6F6是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。STL12P6F6具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,适合于需要高效能和高可靠性的应用。
该器件的额定漏源极电压为60V,连续漏极电流可达12A,适用于中低电压范围内的功率转换和控制应用。其优化的栅极电荷设计有助于降低开关损耗,同时提高了系统的整体效率。
漏源极电压:60V
连续漏极电流:12A
导通电阻:3.8mΩ
栅极电荷:48nC
开关时间:典型值ton=25ns,toff=25ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
STL12P6F6采用了先进的制造工艺,具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 高击穿电压和大电流承载能力,使其能够在苛刻的工作条件下稳定运行。
3. 快速开关速度,可有效降低开关损耗并支持高频操作。
4. 优化的栅极驱动设计,确保了良好的动态性能和稳定性。
5. 工作温度范围宽广,能够适应各种环境条件下的应用需求。
6. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业对绿色产品的要求。
STL12P6F6适用于多种功率电子领域,包括但不限于以下应用:
1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
2. DC-DC转换器,用于汽车电子、通信设备和工业自动化。
3. 电机驱动,支持直流无刷电机和其他类型电机的控制。
4. 负载开关和保护电路,在电池管理系统中起到关键作用。
5. 照明驱动器,例如LED驱动电路中的功率开关元件。
由于其出色的性能,STL12P6F6在许多高性能、高效率的应用场合中表现出色。
STL13P6F6
STL14P6F6
IRFZ44N
FDP5570