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IRF8721TRPBF 发布时间 时间:2025/4/27 12:01:47 查看 阅读:6

IRF8721TRPBF 是一款 N 沣道 enhancement 模式功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-263 封装。该器件适用于高电压和高效率的开关应用,广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率控制的场景。
  该 MOSFET 具有低导通电阻、快速开关速度和高雪崩击穿能量的特点,使其非常适合在高频开关条件下工作。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:49nC(典型值)
  输入电容:2470pF(典型值)
  总功耗:175W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRF8721TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  2. 高额定电流和电压能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关速度,可减少开关损耗并提高频率响应。
  4. 强大的雪崩击穿能力和抗静电能力,确保了更高的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业需求。
  6. TO-263 封装形式,提供良好的散热性能和易于安装的引脚设计。

应用

IRF8721TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的逆变器和变频器。
  4. 电池管理系统中的充放电控制。
  5. 各种需要高效功率管理的汽车电子系统。
  6. 高效节能的 LED 驱动器和其他功率转换应用。

替代型号

IRF8721,
  STP50NF06,
  FDP057N06L

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IRF8721TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 毫欧 @ 14A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1040pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF8721TRPBFTR