时间：2025/4/29 13:34:01
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IRF7855TR是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件适用于需要高效能和低导通电阻的开关应用场合。其设计特点在于优化了栅极电荷和导通电阻之间的平衡，从而提高了系统的整体效率。IRF7855TR广泛用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理模块以及各类工业控制领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：49A
导通电阻（典型值）：3.8mΩ
栅极电荷（典型值）：10nC
总电容（输入电容）：1240pF
工作温度范围：-55℃至175℃
IRF7855TR具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中可有效减少功耗。
2. 优化的栅极电荷设计，有助于提高开关速度并降低开关损耗。
3. 高电流处理能力，适合大功率应用环境。
4. 较宽的工作温度范围，确保在极端条件下的可靠性。
5. 紧凑的TO-263封装形式，便于集成到各种电路板布局中。
6. 符合RoHS标准，环保且易于维护。
IRF7855TR适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）及DC-DC转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的电源管理和负载切换。
4. 大功率LED照明驱动电路。
5. 汽车电子系统中的继电器替代和电池保护。
6. 各类高性能功率转换模块。
IRF7854TR, IRF7856TR
