类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(Vds)：20V
　　连续漏极电流(Id)：2.7A @ 70°C
　　脉冲漏极电流(Id_pulse)：8.5A
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　导通电阻(Rds(on))：23mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻(Rds(on))：30mΩ @ Vgs=2.5V
　　阈值电压(Vgs(th))：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容(Ciss)：290pF @ Vds=10V
　　反向传输电容(Crss)：45pF @ Vds=10V
　　输出电容(Coss)：250pF @ Vds=10V
　　栅极电荷(Qg)：5.5nC @ Vgs=4.5V
　　功率耗散(Pd)：1W @ Ta=25°C
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：DFN2020

ZXMN2B01FTC具备出色的导通性能和开关响应能力，其核心优势在于低导通电阻（Rds(on)），在Vgs=4.5V时仅为23mΩ，这显著降低了在导通状态下的功率损耗，特别适用于对能效要求较高的低压直流电路。这一特性使得它在电池管理、移动电源、智能穿戴设备等对功耗敏感的应用中极具竞争力。此外，在Vgs低至2.5V时仍能保持30mΩ的低Rds(on)，说明其在低驱动电压下依然具备良好的导通能力，兼容现代微控制器或逻辑IC的输出电平，无需额外的电平转换或驱动电路。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg=5.5nC）和输入电容（Ciss=290pF），意味着在开关过程中所需的驱动能量较小，从而减少了动态损耗，提升了高频开关应用中的效率。这对于DC-DC降压或升压转换器尤为重要，能够在高频率下稳定运行而不产生过多热量。同时，Crss（反向传输电容）仅为45pF，有助于降低米勒效应的影响，提高抗噪声干扰能力和开关稳定性，防止误触发。
　　ZXMN2B01FTC采用DFN2020封装，尺寸仅为2mm x 2mm，厚度薄，非常适合高密度PCB布局。该封装具有良好的热性能，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层，有效控制工作温度。这种设计不仅提升了功率密度，还增强了长期工作的可靠性。此外，器件的阈值电压范围为0.6V~1.0V，属于低阈值类型，确保在低电压条件下也能快速开启，进一步扩展了其在3.3V或更低系统中的适用性。
　　该MOSFET还具备优良的雪崩能量耐受能力，在非理想工作条件下（如感性负载断开）能够承受一定的电压冲击，提升了系统的鲁棒性。其符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准的部分批次产品可用于汽车电子应用，如LED照明驱动或车载传感器电源管理。总体而言，ZXMN2B01FTC是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的现代MOSFET器件，适用于广泛的消费类、工业及汽车电子领域。

ZXMN2B01FTC广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理场景。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同模块的供电通断，以实现节能和系统保护。在智能手机、平板电脑、TWS耳机等产品中，它可作为电池与主控芯片之间的开关元件，提供高效的电源路径控制。
　　该器件也常用于同步整流型DC-DC转换器中，特别是在降压（Buck）或升压（Boost）拓扑结构中作为低边或高边开关，利用其低Rds(on)和快速响应特性来提升转换效率，减少发热。此外，在电机驱动电路中，例如微型振动马达或风扇控制，ZXMN2B01FTC能够提供足够的电流驱动能力并实现PWM调速功能。
　　在LED驱动应用中，该MOSFET可用于恒流源的通断控制，配合电感或恒流IC实现亮度调节。由于其封装小巧，也非常适合用于空间受限的物联网设备、智能手表、健康监测设备等可穿戴产品中。其他应用场景还包括热插拔电路、电源多路复用器、USB电源开关以及各种需要低功耗、高集成度开关解决方案的设计。

DMG2302UK-7
　　FDS6670AZ
　　AO6406
　　SI2302DDS-S16-T1-E3
　　IPD9306N3L1