类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1 A（@ VGS = -10 V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12.3 A
　　导通电阻（RDS(on)）：35 mΩ（@ VGS = -10 V）
　　导通电阻（RDS(on)）：46 mΩ（@ VGS = -4.5 V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0 V ~ -2.0 V（@ ID = -250 μA）
　　输入电容（Ciss）：590 pF（@ VDS = -15 V）
　　开启时间（Ton）：约15 ns
　　关断时间（Toff）：约25 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/焊盘：PG-SOT343-4（SOT343）

IRF7828TR采用英飞凌先进的沟槽MOSFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其核心优势之一是在-10V和-4.5V栅极驱动条件下均表现出较低的RDS(on)，分别为35mΩ和46mΩ，这使其在电池供电系统中能有效减少功率损耗，提高整体能效。该器件的阈值电压范围合理，确保在逻辑电平信号下可靠开启，同时避免误触发。由于是P沟道结构，在用于高边开关时可以直接由控制器驱动，无需额外的电荷泵或电平移位电路，简化了电源设计并节省PCB空间。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和电流承载能力，连续漏极电流可达-4.1A，脉冲电流高达-12.3A，适用于中等功率级别的开关应用。其输入电容仅为590pF，有助于降低驱动功耗并提升高频开关效率。器件的开关时间经过优化，开启时间约为15ns，关断时间为25ns左右，支持快速响应负载变化，适用于动态负载调节场景。
　　IRF7828TR的SOT343小型化封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适合高密度组装工艺。器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，具备较强的抗应力能力，适用于严苛环境下的应用。此外，该产品通过了无铅认证和符合RoHS指令，支持绿色制造流程。内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，但在高频应用中仍需注意其能量损耗问题。总体而言，IRF7828TR是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的P沟道MOSFET，特别适合对空间和效率有严格要求的现代电子系统。

IRF7828TR广泛应用于各类需要高效电源控制的电子设备中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载管理模块，例如智能手机和平板电脑中的电池电源路径控制、外设电源启停等。由于其P沟道特性，常被用作高边开关来控制正电压的通断，典型应用场景如USB端口的过流保护、SD卡插拔检测与供电控制、显示屏背光电源管理等。
　　在工业控制领域，该器件可用于传感器模块、PLC输入输出单元或远程I/O设备中的信号切换与电源隔离。其快速响应能力和低静态功耗也使其适用于待机模式下的电源保持与唤醒控制电路。此外，在通信设备中，IRF7828TR可用于热插拔电路或冗余电源切换，保障系统运行的连续性与安全性。
　　在电池管理系统（BMS）或低功耗物联网节点中，该MOSFET可用于切断非工作时段的负载以延长续航时间。其小型封装特别适合穿戴式设备和微型传感器节点，能够在有限空间内实现高效的电源控制功能。同时，该器件也可用于DC-DC转换器中的同步整流或辅助开关环节，进一步提升转换效率。凭借其可靠的性能和广泛的适用性，IRF7828TR已成为许多嵌入式系统设计师在电源开关方案中的首选器件之一。

SI2301-ADJ, DMG2301U, FDN302P, NTD4927P