IRF7822TRPBF 是一款 N 没有增强型功率 MOSFET,采用逻辑电平栅极驱动设计,适合中低压应用。它由 Infineon Technologies 提供,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
该器件采用 P-TO-263-7 封装形式,具备出色的散热性能和高可靠性,广泛用于 DC-DC 转换器、电机驱动和负载切换等场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:45A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷:49nC
总电容(输入电容):1730pF
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装类型:P-TO-263-7
IRF7822TRPBF 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保高效的功率传输并减少功耗。
2. 高速开关性能使得其在高频应用中表现出色。
3. 逻辑电平兼容的栅极驱动简化了与控制器的接口设计。
4. 能够承受雪崩能量,增强了器件的鲁棒性。
5. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种环境条件。
6. 通过 AEC-Q101 认证,确保其在汽车级应用中的可靠运行。
此外,IRF7822TRPBF 的热增强型封装进一步提升了其在高功率密度系统中的表现。
IRF7822TRPBF 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统,例如引擎控制单元(ECU)、变速箱控制和电动车窗。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
5. 通信设备中的电源管理模块。
由于其高性能和可靠性,这款 MOSFET 成为许多功率转换和控制应用的理想选择。
IRF7821TRPBF, IRF7823TRPBF