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IRF7822TRPBF 发布时间 时间:2025/7/1 23:23:08 查看 阅读:7

IRF7822TRPBF 是一款 N 没有增强型功率 MOSFET,采用逻辑电平栅极驱动设计,适合中低压应用。它由 Infineon Technologies 提供,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
  该器件采用 P-TO-263-7 封装形式,具备出色的散热性能和高可靠性,广泛用于 DC-DC 转换器、电机驱动和负载切换等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:49nC
  总电容(输入电容):1730pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装类型:P-TO-263-7

特性

IRF7822TRPBF 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保高效的功率传输并减少功耗。
  2. 高速开关性能使得其在高频应用中表现出色。
  3. 逻辑电平兼容的栅极驱动简化了与控制器的接口设计。
  4. 能够承受雪崩能量,增强了器件的鲁棒性。
  5. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种环境条件。
  6. 通过 AEC-Q101 认证,确保其在汽车级应用中的可靠运行。
  此外,IRF7822TRPBF 的热增强型封装进一步提升了其在高功率密度系统中的表现。

应用

IRF7822TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统,例如引擎控制单元(ECU)、变速箱控制和电动车窗。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
  5. 通信设备中的电源管理模块。
  由于其高性能和可靠性,这款 MOSFET 成为许多功率转换和控制应用的理想选择。

替代型号

IRF7821TRPBF, IRF7823TRPBF

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IRF7822TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 15A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5500pF @ 16V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7822PBFTRIRF7822TRPBF-NDIRF7822TRPBFTR-ND