SBT20100VCT 时间：2025/8/15 10:33:25 阅读：29

SBT20100VCT 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的高压超结（Super Junction）技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能，适用于需要高效率和高性能的电源管理应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器和工业控制系统。该器件采用 TO-220 封装，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：1000V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：2A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大）
　　功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

SBT20100VCT 具有多个关键特性，使其成为高压功率应用的理想选择。
　　首先，该 MOSFET 采用先进的超结技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。其最大 Rds(on) 为 1.2Ω，在同类器件中具有竞争力。
　　其次，该器件的漏源电压（Vds）高达 1000V，适用于高电压应用，如工业电源、LED 照明驱动器和高电压电池管理系统。栅源电压（Vgs）为 ±30V，提供了较高的栅极驱动灵活性和稳定性。
　　此外，SBT20100VCT 的连续漏极电流（Id）为 2A，能够在中等电流负载下稳定工作，同时具备良好的热稳定性。其 TO-220 封装设计有助于有效散热，确保在高功率工作条件下的可靠性。
　　最后，该 MOSFET 支持快速开关操作，降低了开关损耗，适用于高频开关电源应用。其工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），适用于各种严苛的环境条件。

应用

SBT20100VCT 广泛应用于多个高压功率管理领域。其主要应用包括开关电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器，特别适用于需要高效率和高可靠性的电源系统。此外，该器件也常用于工业控制系统，如电机驱动和功率因数校正（PFC）电路。在 LED 照明领域，SBT20100VCT 可用于恒流驱动电路，以提高能效和稳定性。它还可用于高电压电池管理系统、太阳能逆变器以及高电压直流电机控制。由于其良好的热管理和高频响应能力，该器件也适用于高频开关应用，如谐振转换器和 ZVS（零电压开关）拓扑结构。